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講演抄録/キーワード
講演名 2025-07-10 10:55
マグネトロンスパッタリングにより作製した炭化ホウ素の膜特性に及ぼす基板温度の効果
秋元壱畝利林 優佑伊東翔太鈴木裕史遠田義晴小林康之中澤日出樹弘前大CPM2025-18
抄録 (和) 炭化ホウ素ターゲット(B4C)を用いた RF マグネトロンスパッタ法によりアモルファス炭化ホウ素 (BxC)薄膜を作製し、基板温度がBxC膜特性に及ぼす影響を調べた。BxC/n型Si ヘテロ接合の光照射下での電流電圧特性を調べた結果、基板温度100 ºCのとき室温に比べて短絡電流密度、開放電圧、フィルファクタおよび変換効率が増加したが、これらのパラメータは200 ºC以上では減少傾向を示した。 
(英) We have prepared amorphous boron carbide (BxC) films via RF magnetron sputtering using a boron carbide (B4C) target and investigated the influence of substrate temperature on their properties. The current-voltage characteristics of BxC/n-type Si heterojunctions under white light illumination showed that when the substrate temperature increased from room temperature to 100 ℃, the short-circuit current density, open-circuit voltage, fill factor, and conversion efficiency increased; however, these parameters exhibited a decreasing trend at substrate temperatures above 200 ℃.
キーワード (和) 炭化ホウ素 / スパッタリング / 基板温度 / 光起電力特性 / / / /  
(英) Boron carbide / Sputtering / Substrate temperature / Photovoltaic properties / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 125, no. 106, CPM2025-18, pp. 25-28, 2025年7月.
資料番号 CPM2025-18 
発行日 2025-07-02 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2025-18

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2025-07-09 - 2025-07-10 
開催地(和) 坂の上の雲ミュージアム 
開催地(英) Saka no Ue no Kumo Museum 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2025-07-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マグネトロンスパッタリングにより作製した炭化ホウ素の膜特性に及ぼす基板温度の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of substrate temperature on the properties of boron carbide films prepared by magnetron sputtering 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 炭化ホウ素 / Boron carbide  
キーワード(2)(和/英) スパッタリング / Sputtering  
キーワード(3)(和/英) 基板温度 / Substrate temperature  
キーワード(4)(和/英) 光起電力特性 / Photovoltaic properties  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋元 壱畝利 / Iori Akimoto / アキモト イオリ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 優佑 / Yusuke Hayashi / ハヤシ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 翔太 / Shota Ito / イトウ ショウタ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第5著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ
第6著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第7著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-07-10 10:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2025-18 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.106 
ページ範囲 pp.25-28 
ページ数
発行日 2025-07-02 (CPM) 


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