| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2025-07-10 10:55
マグネトロンスパッタリングにより作製した炭化ホウ素の膜特性に及ぼす基板温度の効果 ○秋元壱畝利・林 優佑・伊東翔太・鈴木裕史・遠田義晴・小林康之・中澤日出樹(弘前大) CPM2025-18 |
| 抄録 |
(和) |
炭化ホウ素ターゲット(B4C)を用いた RF マグネトロンスパッタ法によりアモルファス炭化ホウ素 (BxC)薄膜を作製し、基板温度がBxC膜特性に及ぼす影響を調べた。BxC/n型Si ヘテロ接合の光照射下での電流電圧特性を調べた結果、基板温度100 ºCのとき室温に比べて短絡電流密度、開放電圧、フィルファクタおよび変換効率が増加したが、これらのパラメータは200 ºC以上では減少傾向を示した。 |
| (英) |
We have prepared amorphous boron carbide (BxC) films via RF magnetron sputtering using a boron carbide (B4C) target and investigated the influence of substrate temperature on their properties. The current-voltage characteristics of BxC/n-type Si heterojunctions under white light illumination showed that when the substrate temperature increased from room temperature to 100 ℃, the short-circuit current density, open-circuit voltage, fill factor, and conversion efficiency increased; however, these parameters exhibited a decreasing trend at substrate temperatures above 200 ℃. |
| キーワード |
(和) |
炭化ホウ素 / スパッタリング / 基板温度 / 光起電力特性 / / / / |
| (英) |
Boron carbide / Sputtering / Substrate temperature / Photovoltaic properties / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 125, no. 106, CPM2025-18, pp. 25-28, 2025年7月. |
| 資料番号 |
CPM2025-18 |
| 発行日 |
2025-07-02 (CPM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
CPM2025-18 |