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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-11-13 14:10 ［招待講演］4H-SiC反転層における電子状態の原子論的解析 ○永溝幸周・田中 一・森 伸也（阪大）  SDM2025-57 |
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| 抄録 | （和） | 経験的擬ポテンシャル法に基づく原子論モデルを用いて，4H-SiC MOS反転層の電子状態を計算し，反転層電子状態にみられる界面構造依存性や，フルバンド構造を反映した現象を解析した．さらに，原子論モデルを用いた4H-SiCの電子状態計算の効率向上に向けて，強結合近似法に基づく新たなバンド構造モデルを提案し，少数のフィッティングパラメータのみで伝導帯を正確に記述できることを実証した． |
| （英） | Using an atomistic model based on the empirical pseudopotential method, we calculated the electronic structure of the 4H-SiC MOS inversion layer. We then analyzed the dependence of inversion-layer electronic states on the interface structure as well as phenomena that reflect the characteristics of the full band structure. Furthermore, to improve the computational efficiency of electronic-state calculations for 4H-SiC within an atomistic framework, we proposed a novel band-structure model based on the tight-binding approximation. We demonstrated that the conduction band can be accurately reproduced using only a small number of fitting parameters. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / 反転層 / 浮遊電子状態 / 原子論モデル / 擬ポテンシャル / 強結合近似法 / / |
| （英） | 4H-SiC / inversion layer / floating electron state / atomistic model / pseudopotential / tight-binding approximation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 246, SDM2025-57, pp. 13-18, 2025年11月. | |
| 資料番号 | SDM2025-57 | |
| 発行日 | 2025-11-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-11-13 - 2025-11-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiC反転層における電子状態の原子論的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomistic Analysis of the Electronic States in 4H-SiC Inversion Layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 反転層 / inversion layer |
| キーワード(3)（和/英） | 浮遊電子状態 / floating electron state |
| キーワード(4)（和/英） | 原子論モデル / atomistic model |
| キーワード(5)（和/英） | 擬ポテンシャル / pseudopotential |
| キーワード(6)（和/英） | 強結合近似法 / tight-binding approximation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永溝 幸周 / Sachika Nagamizo / ナガミゾ サチカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) The University of Osaka (略称： UOsaka) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 一 / Hajime Tanaka / タナカ ハジメ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) The University of Osaka (略称： UOsaka) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) The University of Osaka (略称： UOsaka) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-11-13 14:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-57 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.246 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2025-11-06 (SDM) |
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