| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2025-11-13 - 2025-11-14 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 5階 5S-2 会議室 |
| 開催地（英） |
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| テーマ（和） |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） |
Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2025-11-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
高アスペクト比構造におけるALDプロセスのパージ効果シミュレーション |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Purge Effect Simulation of Atomic Layer Deposition for High Aspect Ratio Structure |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
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| キーワード(2)（和/英） |
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| キーワード(3)（和/英） |
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| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中村 悟史 / Satoshi Nakamura / ナカムラ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） |
日本サムスン株式会社Samsungデバイスソリューションズ研究所 (略称： DSRJ)
Samsung Devise Solutions R&D Japan, Samsung Japan Corporation (略称： DSRJ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小武守 恒 / Hisashi Kotakemori / コタケモリ ヒサシ |
| 第2著者 所属（和/英） |
日本サムスン株式会社 Samsungデバイスソリューションズ研究所 (略称： DSRJ)
Samsung Devise Solutions R&D Japan, Samsung Japan Corporation (略称： DSRJ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
八島 健太 / Kenta Yashima / ヤシマ ケンタ |
| 第3著者 所属（和/英） |
日本サムスン株式会社Samsungデバイスソリューションズ研究所 (略称： DSRJ)
Samsung Devise Solutions R&D Japan, Samsung Japan Corporation (略称： DSRJ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
池田 大志 / Taishi Ikeda / イケダ タイシ |
| 第4著者 所属（和/英） |
日本サムスン株式会社Samsungデバイスソリューションズ研究所 (略称： DSRJ)
Samsung Devise Solutions R&D Japan, Samsung Japan Corporation (略称： DSRJ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大村 匠 / Takumi Ohmura / オオムラ タクミ |
| 第5著者 所属（和/英） |
日本サムスン株式会社Samsungデバイスソリューションズ研究所 (略称： DSRJ)
Samsung Devise Solutions R&D Japan, Samsung Japan Corporation (略称： DSRJ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
嘉山 康之 / Yasuyuki Kayama / カヤマ ヤスユキ |
| 第6著者 所属（和/英） |
日本サムスン株式会社Samsungデバイスソリューションズ研究所 (略称： DSRJ)
Samsung Devise Solutions R&D Japan, Samsung Japan Corporation (略称： DSRJ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
YunTae Lee / YunTae Lee / イ ユンテ |
| 第7著者 所属（和/英） |
サムスン電子 CSEチーム (略称： SEC)
CSE Team, Samsung Electronics (略称： SEC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Gwangsu Yoo / Gwangsu Yoo / ユ ガンス |
| 第8著者 所属（和/英） |
サムスン電子 CSEチーム (略称： SEC)
CSE Team, Samsung Electronics (略称： SEC) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
辻 幸秀 / Yukihide Tsuji / ツジ ユキヒデ |
| 第9著者 所属（和/英） |
サムスン電子 CSEチーム (略称： SEC)
CSE Team, Samsung Electronics (略称： SEC) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Shinwook Yi / Shinwook Yi / イ シンウク |
| 第10著者 所属（和/英） |
サムスン電子 CSEチーム (略称： SEC)
CSE Team, Samsung Electronics (略称： SEC) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Jaehoon Jeong / Jaehoon Jeong / ジョン ジェフン |
| 第11著者 所属（和/英） |
サムスン電子 CSEチーム (略称： SEC)
CSE Team, Samsung Electronics (略称： SEC) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Dae Sin Kim / Dae Sin Kim / キム デシン |
| 第12著者 所属（和/英） |
サムスン電子 CSEチーム (略称： SEC)
CSE Team, Samsung Electronics (略称： SEC) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第13著者 所属（和/英） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第14著者 所属（和/英） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 所属（和/英） |
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| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第16著者 所属（和/英） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第17著者 所属（和/英） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 所属（和/英） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 所属（和/英） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 所属（和/英） |
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| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第21著者 所属（和/英） |
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| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第22著者 所属（和/英） |
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| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第23著者 所属（和/英） |
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| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 所属（和/英） |
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| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第25著者 所属（和/英） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 所属（和/英） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 所属（和/英） |
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| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第28著者 所属（和/英） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第29著者 所属（和/英） |
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| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第30著者 所属（和/英） |
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| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第31著者 所属（和/英） |
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| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第32著者 所属（和/英） |
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| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 所属（和/英） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 所属（和/英） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 所属（和/英） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2025-11-14 11:30:00 |
| 発表時間 |
50分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2025-60 |
| 巻番号（vol） |
vol.125 |
| 号番号（no） |
no.246 |
| ページ範囲 |
pp.28-33 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2025-11-06 (SDM) |
SDM2025-60