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講演抄録/キーワード
講演名 2025-11-14 13:30
マイクロ波プラズマALDを用いた窒化アルミニウム薄膜の試作と評価
髙橋知也三浦正範宮澤 諒廣瀬文彦山形大EE2025-24 CPM2025-45 OME2025-25
抄録 (和) 次世代半導体デバイスの実現には、低温かつ酸素フリーで成膜可能な高品質パッシベーション膜が不可欠である。本研究では、この要求を満たす材料として窒化アルミニウム(AlN)に着目した。従来の低温原子層堆積法(ALD)では、膜中の炭素や酸素といった不純物残留が課題であった。そこで本研究では、窒化ガスの工夫とArプラズマ処理工程の追加により、低温ALDプロセスでありながら膜中の不純物濃度を低減することに成功した。本発表では、これらの手法を用いて作製したAlN膜の高品質化に関する結果を報告する。 
(英) The realization of next-generation semiconductor devices requires high-quality passivation films that can be deposited at low temperatures and in an oxygen-free environment. This research focuses on aluminum nitride (AlN) as a material meeting these requirements. Conventional low-temperature atomic layer deposition (ALD) faced challenges with residual impurities such as carbon and oxygen within the film. Therefore, this study successfully reduced impurity concentrations in the film while maintaining a low-temperature ALD process by modifying the nitride gas and adding an Ar plasma treatment step. This presentation reports results on enhancing the quality of AlN films fabricated using these techniques.
キーワード (和) 原子層堆積法 / 窒化アルミニウム / マイクロ波 / / / / /  
(英) ALD / AlN / Microwave / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 125, no. 251, CPM2025-45, pp. 5-8, 2025年11月.
資料番号 CPM2025-45 
発行日 2025-11-07 (EE, CPM, OME) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2025-24 CPM2025-45 OME2025-25

研究会情報
研究会 EE OME CPM  
開催期間 2025-11-14 - 2025-11-14 
開催地(和) 山形大学工学部米沢キャンパス 有機EL研究センター(10号館) 4F大会議室 
開催地(英)  
テーマ(和) エネルギー技術,半導体電力変換,電池,電気化学デバイス,材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2025-11-EE-OME-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マイクロ波プラズマALDを用いた窒化アルミニウム薄膜の試作と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of Aluminum Nitride Thin Films Using Microwave Plasma ALD 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 原子層堆積法 / ALD  
キーワード(2)(和/英) 窒化アルミニウム / AlN  
キーワード(3)(和/英) マイクロ波 / Microwave  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 髙橋 知也 / Tomoya Takahashi / タカハシ トモヤ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 正範 / Masanori Miura / ミウラ マサノリ
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮澤 諒 / Ryo Miyazawa / ミヤザワ リョウ
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-11-14 13:30:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 EE2025-24, CPM2025-45, OME2025-25 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.250(EE), no.251(CPM), no.252(OME) 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数
発行日 2025-11-07 (EE, CPM, OME) 


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