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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-11-20 13:40 窒化物半導体新プロセスに向けた高耐熱性3C-SiC/diamond及びSi (111)/diamondテンプレート ○岩本 晃（阪公立大）・大野 裕（東北大）・梁 剣波・重川直輝（阪公立大）  ED2025-27 CPM2025-55 LQE2025-51 |
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| 抄録 | （和） | 3C-SiC/diamondおよびSi (111)/diamond構造を表面活性化接合法により作製し、最大1300 °Cまでの熱処理後に評価した。3C-SiC/diamondは1100 °Cまで構造を保持したが、1300 °Cでは顕著な剥離が生じた。一方、Si (111)/diamondは1300 °Cまで高い接合面積を維持した。また、3C-SiC/diamondは1100 °Cの熱処理後に残留応力の有意な低下がみられた。Si (111)/diamondに関しては、各温度の熱処理後で残留応力はほぼ0であった。これらの結果から、両構造が高温での窒化物成長に適するテンプレート基板となり得る耐熱性を有すること、特にSi (111)/diamond構造は耐熱性に優れること、が分かった。 |
| （英） | 3C-SiC/diamond and Si (111)/diamond templates were fabricated using surface-activated bonding and their thermal stabilities were investigated by annealing them at temperatures up to 1300 °C. The 3C-SiC/diamond template retained structural integrity for the annealing temperatures up to 1100 °C, but exhibited significant delamination after the annealing at 1300 °C. In contrast, the Si (111)/diamond template maintained a large bonding area and structural stability regardless of the annealing temperature. These results demonstrate that both templates are compatible with high-temperature nitride processes and the Si (111)/diamond template exhibit superior thermal stability. | |
| キーワード | （和） | 表面活性化接合法 (SAB) / 3C-SiC/diamond / Si (111)/diamond / 耐熱性 / 残留応力 / / / |
| （英） | surface-activated-bonding (SAB) / 3C-SiC/diamond / Si (111)/diamond / thermal stability / residual stress / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 257, ED2025-27, pp. 17-20, 2025年11月. | |
| 資料番号 | ED2025-27 | |
| 発行日 | 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-27 CPM2025-55 LQE2025-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2025-11-20 - 2025-11-21 |
| 開催地（和） | 天文館ビジョンホール |
| 開催地（英） | TENMONKAN VISION HALL |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-11-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒化物半導体新プロセスに向けた高耐熱性3C-SiC/diamond及びSi (111)/diamondテンプレート |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermally Robust 3C-SiC/Diamond and Si (111)/Diamond Templates for Advanced III-Nitride Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面活性化接合法 (SAB) / surface-activated-bonding (SAB) |
| キーワード(2)（和/英） | 3C-SiC/diamond / 3C-SiC/diamond |
| キーワード(3)（和/英） | Si (111)/diamond / Si (111)/diamond |
| キーワード(4)（和/英） | 耐熱性 / thermal stability |
| キーワード(5)（和/英） | 残留応力 / residual stress |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩本 晃 / Hikaru Iwamoto / イワモト ヒカル |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 裕 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梁 剣波 / Jianbo Liang / リョウ ケンボ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-11-20 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-27, CPM2025-55, LQE2025-51 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.257(ED), no.258(CPM), no.259(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) |
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