| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2025-12-12 09:25
TiNコートしたSiエミッタアレイにおけるTiN膜特性と電子放出特性の評価 ○村田博雅(産総研)・大住知暉(京大/産総研)・後藤康仁(京大)・村上勝久・長尾昌善(産総研) ED2025-47 |
| 抄録 |
(和) |
我々の研究グループでは,Siエミッタ表面のTiNコーティングによる大電流動作に取り組んでいる.これまでに,Siエミッタ上にTiターゲットとN2ガスの反応性スパッタリングによりTiNコーティングを施すことで約1000チップのエミッタアレイから約8 mAという大電流動作を実証している.一方で,TiNのスパッタリング成膜条件とエミッタアレイの電子放出特性の相関は明らかになっていない.本研究では,スパッタリングに用いるAr/N2ガス流量・比を変えてTiNを成膜し,電子放出特性に与える影響を調査した. |
| (英) |
We have previously demonstrated a large emission current of approximately 8 mA from ~1000 tips emitter array by depositing a TiN coating on Si emitter via reactive sputtering using a Ti target and an N₂ gas. Although the properties of TiN coating film strongly depend on the sputtering condition, the correlation between the sputtering deposition conditions of TiN and the electron emission characteristics of the emitter array has not yet been clarified. In this study, we investigated the effect of the Ar/N₂ gas flow ratio during sputtering on their electron emission characteristics. |
| キーワード |
(和) |
TiN / フィールドエミッタアレイ / / / / / / |
| (英) |
TiN / Field emitter array / / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 125, no. 287, ED2025-47, pp. 22-23, 2025年12月. |
| 資料番号 |
ED2025-47 |
| 発行日 |
2025-12-04 (ED) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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ED2025-47 |