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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-01-23 13:25 リセスゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの高性能化 ○滝本将也・角野 翼・松浦 努・尾上和之・小島善樹（三菱電機）  ED2025-79 MW2025-190 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では、AlGaN/GaN HEMTの性能向上と信頼性維持を両立するため、リセスゲート構造を適用した。AlGaNバリア層の薄膜化で性能向上が可能だが、電流コラプスなどの劣化も生じる。そこで、ゲート直下のAlGaN層を薄膜化するリセスゲート加工を検討し、電流コラプス抑制と利得向上を目指した。結果として、電気特性評価では、リーク電流の低減と利得が向上し、信頼性試験でも現行品と同等の耐久性を示した。 |
| （英） | In this study, a recessed gate structure applied to AlGaN/GaN HEMTs to balance performance enhancement and reliability maintenance. While thinning the AlGaN barrier layer can improve device performance, it also introduces degradation phenomena such as current collapse. Therefore, we investigated a recessed gate process that selectively thins the AlGaN layer beneath the gate, aiming to suppress current collapse and improve gain. As a result, electrical characterization showed a reduction in leakage current and an increase in gain, and reliability testing demonstrated durability comparable to the current products. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HEMT / リセスゲート / GaN / 窒化ガリウム / 高周波デバイス / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMT / recessed gate / GaN / Gallium Nitride / High-Frequency Device / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 326, ED2025-79, pp. 79-81, 2026年1月. | |
| 資料番号 | ED2025-79 | |
| 発行日 | 2026-01-15 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-79 MW2025-190 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2026-01-22 - 2026-01-23 |
| 開催地（和） | 藤沢商工会議所（303会議室） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2026-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リセスゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの高性能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance Enhancement of AlGaN/GaN HEMT via Recessed Gate Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | リセスゲート / recessed gate |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波デバイス / High-Frequency Device |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝本 将也 / Masaya Takimoto / タキモト マサヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角野 翼 / Tasuku Sumino / スミノ タスク |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 努 / Tsutomu Matsuura / マツウラ ツトム |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾上 和之 / Kazuyuki Onoe / オノエ カズユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小島 善樹 / Yoshiki Kojima / |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-01-23 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-79, MW2025-190 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.326(ED), no.327(MW) |
| ページ範囲 | pp.79-81 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2026-01-15 (ED, MW) |
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