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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-01-28 13:35 ［招待講演］大容量・低消費電力AIメモリ向け酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM) ○前田 健（キオクシア）  SDM2025-66 |
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| 抄録 | （和） | AI技術の急速な進展に伴い、大容量かつ低消費電力な高性能DRAMが強く求められている。我々は、キャパシタ上に極低オフリーク(<1018A/cell)特性を有する酸化物半導体(InGaZnO)チャネルトランジスタを縦型積層した4F2型DRAM(OCTRAM)を試作した。本稿では、OCTRAMの優れたデータ保持特性と消費電力低減効果について報告する。 |
| （英） | With the rapid advancement of AI technology, there is a growing demand for high-performance DRAM that is both high-density and low-power. We have developed a 4F2 structure DRAM (OCTRAM) with the oxide semiconductor (InGaZnO) channel transistors that exhibit extremely low off-leakage characteristics (<1018A/cell). In this paper, we demonstrate the advantages of oxide semiconductors, including long data retention characteristics and low power consumption. | |
| キーワード | （和） | InGaZnO / 酸化物半導体 / 縦型トランジスタ / DRAM / AI / 大容量 / 低消費電力 / OCTRAM |
| （英） | InGaZnO / oxide semiconductor / vertical channel transistor / DRAM / AI / high density / low power / OCTRAM | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 347, SDM2025-66, pp. 5-6, 2026年1月. | |
| 資料番号 | SDM2025-66 | |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-01-28 - 2026-01-28 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） | 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 大容量・低消費電力AIメモリ向け酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) for High-density and Low-power AI memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnO / InGaZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 縦型トランジスタ / vertical channel transistor |
| キーワード(4)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(5)（和/英） | AI / AI |
| キーワード(6)（和/英） | 大容量 / high density |
| キーワード(7)（和/英） | 低消費電力 / low power |
| キーワード(8)（和/英） | OCTRAM / OCTRAM |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 健 / Takeru Maeda / |
| 第1著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-01-28 13:35:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-66 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.347 |
| ページ範囲 | pp.5-6 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) |
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