| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2026-04-09 10:20
[招待講演]65nm SOI技術で実験的に検証したDynamic Flash Memory動作 ○作井康司(東京科学大) ICD2026-2 |
| 抄録 |
(和) |
IMW 2025における筆者の発表を中心として、Unisantisおよびimecの研究成果に関する論文レビュー講演を行います。Dynamic Flash Memory(DFM)は、65 nm技術を用いた300 mm SOIウェハ上に試作され、広い「1」および「0」のマージンが初めて実験的に実証されました。提案デバイスは正極性信号のみで動作し、負電圧を必要としません。さらに、その独自のスプリットゲート構造により、85 ℃において10秒を超える長い保持時間と、ビット線(BL)ストレス電圧(VSBL)2.5 V条件下で10 msという高いBLディスターブ耐性が実証されています。 |
| (英) |
I will give a talk reviewing papers centered on Sakui’s presentation at IMW 2025 on the research results of Unisantis and imec. Dynamic Flash Memory (DFM) have been fabricated on 300 mm SOI wafers with 65 nm technology, experimentally validating a wide “1” and “0” margin for the first time. The proposed device operates exclusively with positive polarity signals, eliminating the need for negative voltages. Thanks to its unique split-gate structure, a long retention time of over 10 seconds at 85 ℃, and a robust Bit Line (BL) disturbance time of 10 ms with the BL stress voltage (VSBL) of 2.5 V are demonstrated. |
| キーワード |
(和) |
1T-DRAM / Z-RAM / 無キャパシタDRAM / Floating Bodyセル / / / / |
| (英) |
1T-DRAM / Z-RAM / Capacitorless DRAM / FBC / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 126, no. 3, ICD2026-2, pp. 2-7, 2026年4月. |
| 資料番号 |
ICD2026-2 |
| 発行日 |
2026-04-02 (ICD) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ICD2026-2 |