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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-04-25 16:35 ［招待講演］異種面方位Si基板の熱酸化機構と強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成への応用 ○大見俊一郎・鶴口正士・森田行友・厳 浩然（科学大）・早川 兼・須藤治生・泉妻宏治（GWJ）  SDM2026-6 OME2026-6 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、3次元ゲート構造上への強誘電性ノンドープHfO2 (FeND-HfO2)薄膜の形成におけるSiOx界面層の形成を抑制することを目的として、3次元ゲート構造においてチャネルとして用いられる面方位である、Si(100)およびSi(110)などの異種面方位Si基板上における熱酸化膜の形成プロセスに関する検討を行った。さらに、FeND-HfO2薄膜を異種面方位Si基板上に形成し、SiOx界面層の形成の抑制に関する検討を行った。 |
| （英） | In this research, we investigated the thermal oxidation mechanism of Si(100) and Si(110) which would be used as the channel of 3-dimensional gate structure with ferroelectric nondoped HfO2 (FeND-HfO2) thin films for the suppression of SiOx interfacial layer (IL) formation. Furthermore, we investigated the suppression of SiOx IL formation by the FeND-HfO2 thin film formation on Si(100) and Si(110) substrates. | |
| キーワード | （和） | 3次元ゲート構造 / Si基板面方位 / SiO2 / 熱酸化 / 強誘電体 / HfO2 / 界面層 / 電子ビーム蒸着法 |
| （英） | 3-dimensional gate structure / Si substrate orientation / SiO2 / thermal oxidation / ferroelectrics / HfO2 / interfacial layer / electron-beam evaporation | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 8, SDM2026-6, pp. 22-25, 2026年4月. | |
| 資料番号 | SDM2026-6 | |
| 発行日 | 2026-04-18 (SDM, OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-6 OME2026-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2026-04-25 - 2026-04-25 |
| 開催地（和） | 奄美市アマホームプラザ |
| 開催地（英） | AMA Home Plaza |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 異種面方位Si基板の熱酸化機構と強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal oxidation dependence on Si substrate orientation and the application to ferroelectric non-doped HfO2 thin film formation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元ゲート構造 / 3-dimensional gate structure |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板面方位 / Si substrate orientation |
| キーワード(3)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(4)（和/英） | 熱酸化 / thermal oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectrics |
| キーワード(6)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(7)（和/英） | 界面層 / interfacial layer |
| キーワード(8)（和/英） | 電子ビーム蒸着法 / electron-beam evaporation |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京科学大学 (略称： 科学大) Institute of Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴口 正士 / Masashi Tsuruguchi / ツルグ チマサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京科学大学 (略称： 科学大) Institute of Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行友 / Yukitomo Morita / モリタ ユキトモ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京科学大学 (略称： 科学大) Institute of Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 厳 浩然 / Haoran Yan / ヤン ハオラン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京科学大学 (略称： 科学大) Institute of Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早川 兼 / Ken Hayakawa / ハヤカワ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | グローバルウェーハズ・ジャパン㈱ (略称： GWJ) GlobalWafers Japan Co., Ltd. (略称： GWJ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須藤 治生 / Haruo Sudo / スドウ ハルオ |
| 第6著者 所属（和/英） | グローバルウェーハズ・ジャパン㈱ (略称： GWJ) GlobalWafers Japan Co., Ltd. (略称： GWJ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 泉妻 宏治 / Koji Izunome / イズノメ コウジ |
| 第7著者 所属（和/英） | グローバルウェーハズ・ジャパン㈱ (略称： GWJ) GlobalWafers Japan Co., Ltd. (略称： GWJ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-04-25 16:35:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-6, OME2026-6 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.8(SDM), no.9(OME) |
| ページ範囲 | pp.22-25 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-04-18 (SDM, OME) |
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