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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-05-22 15:20 酸素プラズマに曝したGaN表面のX線光電子分光法による評価 ○岩波拓海・森 琢馬・岡田 浩（豊橋技科大）  ED2026-6 CPM2026-6 SDM2026-12 |
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| 抄録 | （和） | 次世代パワーデバイス材料として期待されるGaNの作製プロセスにおいて、プラズマプロセスは重要である。リセス構造形成のドライエッチングやイオン注入のプロセスでは、プラズマや熱によりレジストが変質し強固となる。レジストの除去に酸素プラズマを用いた$O_2$アッシングはレジスト除去に有力な手法であるが、露出したGaN表面の酸化やダメージがデバイス特性に及ぼす影響が懸念される。本研究では、サファイア基板上のGaNに対し$O_2$アッシングを施し、X線光電子分光法(XPS)を用いて$O_2$アッシングによるGaN表面の変質層の化学的特性を評価した。さらに、塩酸(HCl)処理による変質層の除去効果についても検討を行った。 |
| （英） | Plasma processing is essential in the fabrication of GaN, which is expected to be a next-generation material for power devices. During dry etching for recess structure formation or ion implantation processes, photoresists undergo chemical alteration due to plasma exposure and heat, becoming highly resilient and difficult to remove. While $O_2$ ashing using oxygen plasma is an effective method for resist stripping, there are concerns regarding the impact of oxidation and damage to the exposed GaN surface on device performance. In this study, $O_2$ ashing is performed on GaN grown on sapphire substrates, and the chemical properties of the altered layer on the GaN surface induced by $O_2$ ashing are evaluated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Furthermore, the effectiveness of hydrochloric acid (HCl) treatment in removing the altered layer is investigated. | |
| キーワード | （和） | GaN / XPS / O_2 アッシング / / / / / |
| （英） | GaN / XPS / O_2 ashing / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 37, SDM2026-12, pp. 21-24, 2026年5月. | |
| 資料番号 | SDM2026-12 | |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2026-6 CPM2026-6 SDM2026-12 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2026-05-22 - 2026-05-22 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学 (サテライト•オフィス) |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸素プラズマに曝したGaN表面のX線光電子分光法による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of GaN surfaces exposed to oxygen plasma using X-ray photoelectron spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(3)（和/英） | O_2 アッシング / O_2 ashing |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩波 拓海 / Takumi Iwanami / イワナミ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 琢馬 / Takuma Mori / モリ タクマ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-05-22 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2026-6, CPM2026-6, SDM2026-12 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.35(ED), no.36(CPM), no.37(SDM) |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) |
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