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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-05-22 14:15 MoS2/グラフェンヘテロ構造を用いた雷検知用電界センサ ○胡 佳麗（北陸先端大）・工藤剛史・圓山武志（音羽電機）・水田 博・赤堀誠志（北陸先端大）  ED2026-4 CPM2026-4 SDM2026-10 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、機械剥離したMoS2とCVDグラフェンからなるファンデルワールスヘテロ構造を用いた電界センサを作製し、グラフェンをボトムソース・ドレイン電極として利用した。従来の金属電極と比較して、MoS2/グラフェン界面ではショットキーバリア高さの低減およびキャリア注入効率の向上が確認された。本センサは印加電界の極性および強度を識別可能であり、その検出機構はMoS2チャネルとSiO2/チャネル界面のトラップ準位間におけるキャリア移動に基づく。本研究により、高感度化および167 V/mの検出限界を実現した。 |
| （英） | In this study, we demonstrate an electric field sensor based on a van der Waals heterostructure of mechanically exfoliated MoS2 and CVD graphene, where graphene serves as the bottom source-drain contacts. Compared to conventional metal contacts, the MoS2/graphene interface exhibits a reduced Schottky barrier height and improved carrier injection efficiency. The MoS2/graphene sensor can distinguish both the polarity and strength of an applied electric field, with the sensing mechanism relying on carrier transfer between the MoS2 channel and trap states at the SiO2/channel interface. This work achieves higher sensitivity and a detection limit of 167 V/m. | |
| キーワード | （和） | MoS2 / CVDグラフェン / MoS2/グラフェンヘテロ構造 / 電界センシング / / / / |
| （英） | MoS2 / CVD Graphene / MoS2/Graphene Heterostructure / Electric Field Sensing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 35, ED2026-4, pp. 13-16, 2026年5月. | |
| 資料番号 | ED2026-4 | |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2026-4 CPM2026-4 SDM2026-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2026-05-22 - 2026-05-22 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学 (サテライト•オフィス) |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2026-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | MoS2/グラフェンヘテロ構造を用いた雷検知用電界センサ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric-Field Sensor Based on MoS2/Graphene Heterostructure for Lightning Detection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MoS2 / MoS2 |
| キーワード(2)（和/英） | CVDグラフェン / CVD Graphene |
| キーワード(3)（和/英） | MoS2/グラフェンヘテロ構造 / MoS2/Graphene Heterostructure |
| キーワード(4)（和/英） | 電界センシング / Electric Field Sensing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 胡 佳麗 / Jiali Hu / コ カレイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 剛史 / Takeshi Kudo / クドウ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 音羽電機工業株式会社 (略称： 音羽電機) OTOWA ELECTRIC CO., LTD. (略称： OTOWA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 圓山 武志 / Takeshi Maruyama / マルヤマ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 音羽電機工業株式会社 (略称： 音羽電機) OTOWA ELECTRIC CO., LTD. (略称： OTOWA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水田 博 / Hiroshi Mizuta / ミズタ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤堀 誠志 / Masashi Akabori / アカボリ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-05-22 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2026-4, CPM2026-4, SDM2026-10 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.35(ED), no.36(CPM), no.37(SDM) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) |
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