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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-05-22 15:45 MBE成長したGaSbナノワイヤのコンタクト解析 ○小松 颯・赤堀誠志（北陸先端大）  ED2026-7 CPM2026-7 SDM2026-13 |
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| 抄録 | （和） | GaSbナノワイヤはp型ゲートオールアラウンドFETのチャネル材料として期待されている．一方で，Sbのアンチサーファクタント効果によりナノワイヤ成長が難しい材料系であり，成長・電気特性に関する報告は少ない．我々はこれまで非晶質マスクを用いた分子線エピタキシー法によるナノワイヤ成長とGaSbナノワイヤFETのp-チャネル動作を報告してきた．現在は，多端子GaSbナノワイヤデバイスを用いて電気的特性とコンタクトの評価を進めている．今回は，4端子測定やContact End Resistance測定を用いたコンタクト解析の結果について紹介する． |
| （英） | GaSb nanowires are promising channel materials for p-type gate-all-around FETs. However, the growth of GaSb nanowires is challenging due to the anti-surfactant effect of antimony, and there are few reports on their growth and electrical characteristics. We have previously reported the growth of GaSb nanowires by molecular beam epitaxy using a hydrogen silsesquioxane mask, and the p-channel operation of GaSb nanowire FETs. Currently, we are investigating electrical and contact properties using multi-terminal GaSb nanowire devices. In this report, we present the results of contact analysis utilizing 4-terminal and contact end resistance measurements. | |
| キーワード | （和） | GaSbナノワイヤ / コンタクト抵抗 / コンタクトエンド抵抗 / MBE / / / / |
| （英） | GaSb nanowire / Contact resistance / Contact end resistance / MBE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 35, ED2026-7, pp. 25-28, 2026年5月. | |
| 資料番号 | ED2026-7 | |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2026-7 CPM2026-7 SDM2026-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2026-05-22 - 2026-05-22 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学 (サテライト•オフィス) |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2026-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MBE成長したGaSbナノワイヤのコンタクト解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Contact analysis of GaSb nanowires grown by MBE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaSbナノワイヤ / GaSb nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | コンタクト抵抗 / Contact resistance |
| キーワード(3)（和/英） | コンタクトエンド抵抗 / Contact end resistance |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 颯 / Soh Komatsu / コマツ ソウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤堀 誠志 / Masashi Akabori / アカボリ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-05-22 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2026-7, CPM2026-7, SDM2026-13 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.35(ED), no.36(CPM), no.37(SDM) |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) |
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