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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-05-22 16:35 光電気化学エッチング法によりゲートリセス加工を施したAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性 ○佐藤威友・勝又十勝・岡野陽樹・塩澤直生（北大）  ED2026-9 CPM2026-9 SDM2026-15 |
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| 抄録 | （和） | コンタクトレス光電気化学（CL-PEC: Contactless Photo-electrochemical）エッチングをAlGaN/GaN HFETに適用し，AlGaN層を精密に薄膜化することでしきい値電圧（Vth）を制御した．オーミックカソードを用いたエッチングではエッチング深さが時間に対して線形に制御できた一方，ショットキーカソードを用いた場合にはエッチングが自己停止した．容量–電圧（C–V）測定により，構造変化が電気特性に正確に反映されていることが確認された．CL-PECエッチングを用いて作製したリセスゲートデバイスでは，相互コンダクタンスの劣化を抑制しながらVthの調整を実現した． |
| （英） | Contactless photo-electrochemical (CL-PEC) etching was applied to AlGaN/GaN HFETs to control the threshold voltage by precisely thinning the AlGaN layer. Etching with an ohmic cathode showed linear depth control, while a Schottky cathode resulted in self-terminated etching. Capacitance–voltage measurements confirmed that structural changes were accurately reflected in electrical characteristics. Recessed-gate devices fabricated using CL-PEC etching achieved Vth tuning while suppressing transconductance degradation. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / 高電子移動度トランジスタ / 光電気化学エッチング / / / / |
| （英） | AlGaN / GaN / high electron-mobility transistors (HEMTs) / photoelectrochemical (PEC) etching / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 35, ED2026-9, pp. 33-36, 2026年5月. | |
| 資料番号 | ED2026-9 | |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2026-9 CPM2026-9 SDM2026-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2026-05-22 - 2026-05-22 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学 (サテライト•オフィス) |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2026-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光電気化学エッチング法によりゲートリセス加工を施したAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of AlGaN/GaN Heterostructure Transistors with Gate Recesses Fabricated by Photoelectrochemical Etching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / high electron-mobility transistors (HEMTs) |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング / photoelectrochemical (PEC) etching |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 勝又 十勝 / Tokachi Katsumata / カツマタ トカチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡野 陽樹 / Haruki Okano / オカノ ハルキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩澤 直生 / Naoki Shiozawa / シオザワ ナオキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-05-22 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2026-9, CPM2026-9, SDM2026-15 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.35(ED), no.36(CPM), no.37(SDM) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-05-15 (ED, CPM, SDM) |
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