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| 講演名 | 2026-06-11 13:55 単結晶電極/多能性®中間膜/Si基板上へのエピAlN膜の形成とBAW特性評価 ○権守秀昭・鈴木雅視・垣尾省司（山梨大）・關 雅志・木島 健（ガイアニクス）  US2026-11 |
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| 抄録 | （和） | BAW共振子では高周波動作させる際に圧電薄膜を薄くする必要があるが，従来の多結晶膜では結晶配向性が著しく低下する恐れがあり，それにより電気機械結合係数kt2が小さくなる．多結晶膜の代わりに単結晶膜を用いることでそのkt2値の低下が解決できると考えられる．本研究では，単結晶Pt，Ti電極膜/多能性®中間膜/Si基板上にRFマグネトロンスパッタリング法を用いてエピタキシャル単結晶AlN薄膜を形成，BAW特性を評価した．XRD測定によりAlN膜の３軸配向性を確認した．挿入損失測定では，ガス圧0.75 Pa, Ar:N2=4:1, ターゲット-基板間距離30 mmの成膜条件で最も小さい挿入損失が得られた．高配向性Ti膜上AlN膜のkt2値は3.72％となった． |
| （英） | To operate at high frequencies in conventional polycrystalline BAW resonators at high frequencies, piezoelectric films must be thinned, which typically degrades crystal orientation and reduces the electromechanical coupling coefficient (kt2). Utilizing single-crystal films can solve this issue. In this study, epitaxial single-crystal AlN thin films were grown on Pt or Ti electrodes/Multi-functional ® interlayer/Si substrates via RF magnetron sputtering. Triaxial orientations were confirmed in the AlN film from XRD analysis. Minimum insertion loss was observed in the AlN film grown at 0.75 Pa, an Ar:N2 ratio of 4:1, and a target-substrate distance of 30 mm. The AlN film on high crystalline Ti film exhibited highest kt2 of 3.72%. | |
| キーワード | （和） | BAW / AlN / 多能性®中間膜 / / / / / |
| （英） | BAW / AlN / Multi-functional ® interlayer / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 67, US2026-11, pp. 6-11, 2026年6月. | |
| 資料番号 | US2026-11 | |
| 発行日 | 2026-06-04 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2026-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2026-06-11 - 2026-06-11 |
| 開催地（和） | しいのき迎賓館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 医用超音波，超音波一般 （共催：日本超音波医学会基礎技術研究会, 日本音響学会北陸支部） |
| テーマ（英） | Ultrasound in medicine, Ultrasonics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2026-06-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 単結晶電極/多能性®中間膜/Si基板上へのエピAlN膜の形成とBAW特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and BAW characteristics of epitaxial AlN films on single crystal electrode film/ "Multi-functional interlayer"/ Si substrate. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | BAW / BAW |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | 多能性®中間膜 / Multi-functional ® interlayer |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 権守 秀昭 / Hideaki Gommori / ゴンモリ ヒデアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 雅視 / Masashi Suzuki / スズキ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 垣尾 省司 / Shoji Kakio / カキオ ショウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 關 雅志 / Masashi Seki / セキ マサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社ガイアニクス (略称： ガイアニクス) Gaianixx (略称： Gaianixx) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木島 健 / Takeshi Kijima / セキ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社ガイアニクス (略称： ガイアニクス) Gaianixx (略称： Gaianixx) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-06-11 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2026-11 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.67 |
| ページ範囲 | pp.6-11 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2026-06-04 (US) |
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