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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-06-18 13:05 ［招待講演］IC配線工程中のInP-HEMTデバイス特性劣化機構の考察 ○佐々木太郎・杉山弘樹・吉屋佑樹・星 拓也・宮本恭幸・濱田裕史・アブド イブラヒム・中島史人（NTT）  MW2026-22 |
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| 抄録 | （和） | 本講演では、NTTの60 nmゲートInP-HEMTテクノロジにおけるエピタキシャル成長技術、プロセス技術、および300 GHz帯無線通信向けMMIC技術を紹介する。またプロセス技術に関する最新の知見として、MMICの配線工程におけるトランジスタの特性劣化現象と、その抑制手法について述べる。劣化したトランジスタの断面TEM観察および元素分析結果より、InPリセスエッチングストッパ層の変質により表面保護効果が損なわれていることが分かった。当該ダメージの抑制を企図してリセスエッチング時間の短縮（＝リセス長の短縮）を行ったところ、狙いリセス長を150 nmから100 nmへ短縮することで、特性劣化を抑制できることが分かった。 |
| （英） | In this presentation, our 60-nm-gate InP-HEMT technology for high-speed MMICs are introduced. We also present recent findings regarding process technology, focusing on transistor degradation observed during BEOL processing and methods for suppressing this degradation. TEM observations and EDX mappings of degraded transistors revealed that the surface passivation effect of the InP recess-etching stopper was deteriorated. To mitigate this damage, the recess-etching time was shortened, corresponding to a reduction in recess length. As a result, reducing the target recess length from 150 nm to 100 nm was found to effectively suppress the degradation. | |
| キーワード | （和） | InP / HEMT / 300 GHz帯 / MMIC / / / / |
| （英） | InP / HEMT / 300 GHz band / MMIC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 78, MW2026-22, pp. 1-6, 2026年6月. | |
| 資料番号 | MW2026-22 | |
| 発行日 | 2026-06-11 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2026-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2026-06-18 - 2026-06-18 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2026-06-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | IC配線工程中のInP-HEMTデバイス特性劣化機構の考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of back-end-of-line processing on the performance of InP-HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 300 GHz帯 / 300 GHz band |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 太郎 / Taro Sasaki / ササキ タロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉屋 佑樹 / Yuki Yoshiya / ヨシヤ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 拓也 / Takuya Hoshi / ホシ タクヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 裕史 / Hiroshi Hamada / ハマダ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | アブド イブラヒム / Ibrahim Abdo / アブド イブラヒム |
| 第7著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 史人 / Fumito Nakajima / ナカジマ フミト |
| 第8著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-06-18 13:05:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2026-22 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.78 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2026-06-11 (MW) |
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