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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-06-29 14:05 ［招待講演］Ge-on-Nothing構造に基づく高品質Ge-on-Insulator基板の作製 ○山本圭介（熊本大）・王 冬（九大）・Roger Loo・Clément Porret・Valérie Depauw（imec）・Jinyoun Cho・Kristof Dessein（Umicore）  SDM2026-17 |
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| 抄録 | （和） | ゲルマニウム（Ge）は高移動度や近赤外光に対応する狭いバンドギャップを有し，次世代電子・光デバイス材料として期待されている．Geデバイスの実用化には薄膜Ge結晶が絶縁膜を介して支持基板上に形成されたGe-on-Insulator（GOI）基板が重要であるが，Si-on-Insulator作製で用いられているSmart-CutTM法ではイオン注入損傷に起因する結晶欠陥が課題となる．本稿では，中空ゲルマニウム構造（Ge-on-Nothing: GeON）を出発材料とした新しいGOI作製技術を紹介する．GeONとSi基板との直接接合および層転写により形成したGOIは，Smart-CutTM GOIを上回る高い結晶性と優れた電気特性を示した．さらに，バックゲートGOIキャパシタおよびバックゲートMOSFETの動作実証にも成功したことから，本手法は高品質GOI作製の有効な候補になると考えている． |
| （英） | Ge has superior characteristics such as high carrier mobilities and a near-infrared corresponding bandgap. For the practical application of Ge, Ge-on-Insulator (GOI) structure is essential. However, the Smart-Cut™ method used to fabricate Si-on-Insulator (SOI) poses challenges due to crystal defects induced by ion implantation. In this report, we introduce a new GOI fabrication technique using a hollow Ge structure (Ge-on-Nothing: GeON) as the starting material. The GOI formed by direct bonding of GeON to a Si handle substrate and layer transfer exhibited higher crystallinity and electrical properties compared to Smart-CutTM GOI. We believe this method is a viable approach for fabricating high-quality GOI. | |
| キーワード | （和） | Ge-on-Insulator / Ge-on-Nothing / ウェーハ接合 / MOSFET / / / / |
| （英） | Ge-on-Insulator / Ge-on-Nothing / wafer bonding / MOSFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 89, SDM2026-17, pp. 5-8, 2026年6月. | |
| 資料番号 | SDM2026-17 | |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-06-29 - 2026-06-29 |
| 開催地（和） | TCU Shibuya PXU（東京都市大学渋谷パクス） |
| 開催地（英） | TCU Shibuya PXU |
| テーマ（和） | 半導体デバイスの進化を支える材料・ プロセス技術―MOS・メモリ・パワーデバイスの最前線―（応用物理学会シリコンテクノロジー分科会、東京都市大学渋谷パクスとの共催） |
| テーマ（英） | Material and Process Technologies Driving Semiconductor Device Evolution: Frontiers in MOS, Memory, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge-on-Nothing構造に基づく高品質Ge-on-Insulator基板の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of high quality Ge-on-Insulator based on Ge-on-Nothing technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge-on-Insulator / Ge-on-Insulator |
| キーワード(2)（和/英） | Ge-on-Nothing / Ge-on-Nothing |
| キーワード(3)（和/英） | ウェーハ接合 / wafer bonding |
| キーワード(4)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto / ヤマモト ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 冬 / Dong Wang / ワン ドン |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Roger Loo / Roger Loo / Roger Loo |
| 第3著者 所属（和/英） | imec (略称： imec) imec (略称： imec) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Clément Porret / Clément Porret / Clément Porret |
| 第4著者 所属（和/英） | imec (略称： imec) imec (略称： imec) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Valérie Depauw / Valérie Depauw / Valérie Depauw |
| 第5著者 所属（和/英） | imec (略称： imec) imec (略称： imec) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jinyoun Cho / Jinyoun Cho / Jinyoun Cho |
| 第6著者 所属（和/英） | Umicore (略称： Umicore) Umicore (略称： Umicore) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Kristof Dessein / Kristof Dessein / Kristof Dessein |
| 第7著者 所属（和/英） | Umicore (略称： Umicore) Umicore (略称： Umicore) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-06-29 14:05:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-17 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.89 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) |
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