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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-07-16 10:55 亜酸化窒素ガスによるSiC(0001)表面酸窒化における気相熱励起効果 ○伊東翔太・向野 楓・遠田義晴（弘前大）  CPM2026-19 |
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| 抄録 | （和） | SiC MOS-FETデバイスにおいて、性能向上のためにはSi$O_2$/SiC界面欠陥の低減が重要である。Si$O_2$膜形成時のSiC熱酸化では、余剰炭素が界面に残留し界面準位の主要因となる。本研究では、酸化と同時に界面準位低減効果を持つ窒素導入を可能にする、毒性の低い$N__2$Oガスを用いた熱酸窒化反応について調べた。特に$N_2$Oを気相熱励起することで反応性を高め、内殻準位光電子分光法によるリアルタイム測定で表面反応の振る舞いを調べた。その結果、気相熱励起$N_2$Oは、条件により表面カーボン層のエッチング、酸化反応および窒化反応の増大等の効果があることが認められた。さらに、SiC(0001)Si面はC面に比べ熱励起効果が大きいことが明らかになった。 |
| （英） | Reducing defects at the Si$O_2$/SiC interface is essential for improving the performance of SiC MOS-FETs. During thermal oxidation of SiC, excess carbon atoms remain at the oxide/SiC interface, resulting in the formation of interface states. In this study, we investigated thermal oxynitridation of SiC surface using low toxicity $N_2$O gas, which enables nitrogen incorporation with an interface state reduction effect during oxidation. In particular, the reactivity of $N_2$O was enhanced by thermal excitation in the gas phase, and the surface reaction behavior was examined by real-time core-level photoelectron spectroscopy. The results revealed that oxynitridation using thermally-excited $N_2$O reduces the surface carbon layer through etching while simultaneously increasing the oxide thickness. Furthermore, it was found that the thermal excitation effect is more pronounced on the SiC(0001) Si-face than on the C-face. | |
| キーワード | （和） | SiC / 熱酸窒化 / X線光電子分光 / N2O熱励起 / / / / |
| （英） | SiC / Thermal Oxynitridation / XPS / Thermally-Excited N2O / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 113, CPM2026-19, pp. 33-36, 2026年7月. | |
| 資料番号 | CPM2026-19 | |
| 発行日 | 2026-07-08 (CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2026-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2026-07-15 - 2026-07-16 |
| 開催地（和） | 弘前大学創立50周年記念会館 |
| 開催地（英） | 50th Anniversary Auditorium |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2026-07-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 亜酸化窒素ガスによるSiC(0001)表面酸窒化における気相熱励起効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Thermally Excited N2O Gas on Oxynitridation of SiC(0001) Surface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 熱酸窒化 / Thermal Oxynitridation |
| キーワード(3)（和/英） | X線光電子分光 / XPS |
| キーワード(4)（和/英） | N2O熱励起 / Thermally-Excited N2O |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 翔太 / Shota Ito / イトウ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 向野 楓 / Kaede Mukuno / ムクノ カエデ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-07-16 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2026-19 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.113 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-07-08 (CPM) |
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