| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-08-04 10:45 極低温MOSFET動作におけるサブレッショルド特性のゲート長依存性 ○香取 匠（産総研/東京電機大）・浅井栄大・岡 博史・加藤公彦・稲葉 工・小林唯華・中山隆史（産総研）・森山悟士（東京電機大）・森 貴洋（産総研）  SDM2026-23 ICD2026-13 |
|
| 抄録 | （和） | 本研究では，極低温条件における長チャネルのn型およびp型MOSFETにおいて，サブスレッショルド特性（SS）のゲート長依存性を実験的に明らかにし，そのメカニズムをデバイスシミュレーションにより解析した. バンド端準位を考慮し，ドレイン電流における拡散成分とドリフト成分の支配性に着目した結果，極低温では一般にサブスレッショルドとされる電圧領域においてもドリフト成分が支配的であることが分かった. そのため，極低温におけるSSはドリフト成分の特性により決定され，そのゲート長依存性を反映してSSがゲート長に依存することが示された. また，バンド端準位の影響が，サブスレッショルド電流領域におけるドリフト成分の支配率に大きく影響することの重要性も示した. |
| （英） | We experimentally found the gate-length dependence of the subthreshold swing (SS) in long-channel n- and p- MOSFETs at cryogenic temperatures and investigated its mechanism using device simulations. Considering the band-edge states and focusing on the dominance of the drift and diffusion current components in the drain current, we found that the drift component highly dominates the current even within the subthreshold current range at cryogenic temperatures. Therefore, the subthreshold swing depends on the gate length due to the gate-length dependence of the drift component. We also highlight the importance of the effect of the band-edge states, which significantly impacts the dominance ratio of the drift component in the subthreshold current range. | |
| キーワード | （和） | cryo-CMOS / MOSFET / サブスレッショルドスイング / バンド端準位 / / / / |
| （英） | cryo-CMOS / MOSFET / subthreshold swing / band-edge states / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 137, SDM2026-23, pp. 7-10, 2026年8月. | |
| 資料番号 | SDM2026-23 | |
| 発行日 | 2026-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-23 ICD2026-13 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2026-08-04 - 2026-08-06 |
| 開催地（和） | 北海道大学理学部2号館2-507 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ, School of Science 2nd Bldg. Room2-507 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極低温MOSFET動作におけるサブレッショルド特性のゲート長依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate-length dependence of subthreshold slope in cryogenic operation of MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | cryo-CMOS / cryo-CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | サブスレッショルドスイング / subthreshold swing |
| キーワード(4)（和/英） | バンド端準位 / band-edge states |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 香取 匠 / Takumi Katori / カトリ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所/東京電機大学 (略称： 産総研/東京電機大) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tokyo Denki University (略称： AIST/TDU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 唯華 / Yuika Kobayashi / コバヤシ ユイカ |
| 第6著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 隆史 / Takashi Nakayama / ナカヤマ タカシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森山 悟士 / Satoshi Moriyama / モリヤマ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京電機大学 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： TDU) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-08-04 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-23, ICD2026-13 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.137(SDM), no.138(ICD) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-07-28 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]