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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-08-07 10:55 低誘電損失フレキシブルPTFE基板上への 超伝導NbN薄膜の室温製膜とそれを用いた伝送線路の検討 ○武藤大樹・關谷尚人・作間啓太（山梨大）  SCE2026-5 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，低誘電損失なフレキシブルPTFE基板上に，室温にて超伝導NbN薄膜の製膜を行った．スパッタリングで製膜する際に，基板へのプラズマダメージを抑制するためにoff-axis配置を採用した．その結果，バルクのNbNと同程度の15.6Kの超伝導転移温度を有するNbN薄膜を，50 mm角のPTFE基板上に作製することに成功した．さらに，NbN薄膜導体とPTFE基板を用いたマイクロストリップ伝送線路の設計を行った． |
| （英） | Superconducting NbN thin film was deposited at room temperature on low-dielectric-loss flexible PTFE substrate. To suppress plasma damage the film was deposited in an off-axis configuration. As a result, the film with a high critical temperature of 15.6 K was successfully fabricated on a 50-mm-square PTFE substrate. Furthermore, we designed microstrip transmission lines consisting of the film conductor and the substrate. | |
| キーワード | （和） | フレキシブルケーブル / PTFE基板 / NbN薄膜 / 反応性マグネトロンスパッタリング / / / / |
| （英） | Flexible cable / PTFE substrate / NbN thin film / Reactive magnetron sputtering / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 145, SCE2026-5, pp. 25-30, 2026年8月. | |
| 資料番号 | SCE2026-5 | |
| 発行日 | 2026-07-31 (SCE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2026-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2026-08-07 - 2026-08-07 |
| 開催地（和） | 山梨大学 |
| 開催地（英） | University of Yamanashi |
| テーマ（和） | 超伝導エレクトロニクス一般 |
| テーマ（英） | Superconducting Electronics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2026-08-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低誘電損失フレキシブルPTFE基板上への 超伝導NbN薄膜の室温製膜とそれを用いた伝送線路の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Superconducting NbN Thin Films Deposited at Room Temperature on Low-Dielectric-Loss Flexible PTFE Substrates and Their Application to Transmission Lines |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フレキシブルケーブル / Flexible cable |
| キーワード(2)（和/英） | PTFE基板 / PTFE substrate |
| キーワード(3)（和/英） | NbN薄膜 / NbN thin film |
| キーワード(4)（和/英） | 反応性マグネトロンスパッタリング / Reactive magnetron sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武藤 大樹 / Daiki Muto / ムトウ ダイキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) Yamanashi University (略称： Yamanashi Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 關谷 尚人 / Noto Sekiya / セキヤ ナオト |
| 第2著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) Yamanashi University (略称： Yamanashi Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 作間 啓太 / Keita Sakuma / サクマ ケイタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) Yamanashi University (略称： Yamanashi Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-08-07 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2026-5 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.145 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2026-07-31 (SCE) |
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