10月17日(木) 午後  14:00 - 19:00
(1)	14:00-14:50	［招待講演］SiCパワーデバイスの開発動向 SDM2013-88	○四戸　孝（東芝）
(2)	14:50-15:20	Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) SDM2013-89	○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
	15:20-15:40	休憩　（ 20分 ）
(3)	15:40-16:10	Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering SDM2013-90	○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
(4)	16:10-16:40	原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 SDM2013-91	○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）
	16:40-17:00	休憩　（ 20分 ）
	17:00-19:00	懇親会　（ 120分 ）
10月18日(金) 午前  09:30 - 14:30
(5)	09:30-10:00	内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード SDM2013-92	○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利（東北大）
(6)	10:00-10:30	窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 SDM2013-93	○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大）
(7)	10:30-11:00	バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 SDM2013-94	○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地　宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大）
(8)	11:00-11:30	古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ～ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ～ SDM2013-95	○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧　高一（京大）
	11:30-13:00	昼食　（ 90分 ）
(9)	13:00-13:30	積層型不揮発性メモリの設計法 SDM2013-96	○渡辺重佳（湘南工科大）
(10)	13:30-14:00	プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 SDM2013-97	亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧　高一（京大）
(11)	14:00-14:30	MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 SDM2013-98	○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4835 E-: fffe

Last modified: 2013-08-19 15:10:12