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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-12-16 to:2010-12-16」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2010-12-16 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 ○鈴木左文・浅田雅洋（東工大）  ED2010-158 |
共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いたテラヘルツ（THz）発振器に関して，最近の研究成果を報告する．我々は，高有効電流... [more] | ED2010-158 pp.1-6 |
| ED | 2010-12-16 14:10 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮 ○寺西豊志・鈴木左文・静野 薫・浅田雅洋（東工大）・杉山弘樹・横山春喜（NTT） ED2010-159 |
InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振器において，グレーデッドエミッ... [more] | ED2010-159 pp.7-12 |
| ED | 2010-12-16 14:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］テラヘルツ無線通信の現状と将来展望 ○永妻忠夫（阪大） ED2010-160 |
イーサーネットLANを始めとする光ファイバネットワークの高速化の著しい進展に伴い，無線通信の高速化に対するニーズが一段と... [more] | ED2010-160 pp.13-18 |
| ED | 2010-12-16 15:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 局部発振器用THz-QCLの開発 ○入交芳久（NICT）・芝 祥一（東大）・関根徳彦・寶迫 巌（NICT）・小山知記・前澤裕之（名大）・山本 智（東大） ED2010-161 |
[more] | ED2010-161 pp.19-24 |
| ED | 2010-12-16 16:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器 ○高塚裕也（北大）・佐野栄一（北大/JST）・リズィー ヴィクトール（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） ED2010-162 |
テラヘルツ領域を活用するためには，小型なテラヘルツ光源の開発が必須である．テラヘルツ光源の元となるテラヘルツ増幅器の開発... [more] | ED2010-162 pp.25-29 |
| ED | 2010-12-16 16:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布 ○佐藤 昭（東北大）・ヴィクトール リズィー（会津大）・ステファン ボウバンガ-トムベット・尾辻泰一（東北大） ED2010-163 |
パルス光学励起された真性グラフェンにおける室温での反転分布の理論解析を行う。キャリア緩和過程の 解析のため、キャリア間... [more] |
ED2010-163 pp.31-34 |
| ED | 2010-12-16 16:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ナノサイズFETによる室温コヒーレント・電圧制御テラヘルツ波発振 ○ステファン ボウバンガ-トムベット・佐藤 昭（東北大）・ヴィクトー ル リズィー（会津大）・尾辻泰一（東北大） ED2010-164 |
We report on reflective electro-optic sampling measurements ... [more] | ED2010-164 pp.35-39 |
| ED | 2010-12-17 09:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討 ○原 直紀・中舍安宏・牧山剛三・高橋 剛（富士通/富士通研） ED2010-165 |
シンプルで小型な送受信機を構成可能なインパルス無線方式をW帯ミリ波通信に適用し、InP HEMT MMICを用いて送受信... [more] | ED2010-165 pp.41-45 |
| ED | 2010-12-17 10:10 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 近傍界イメージング用77GHz帯モノスタティックレーダモジュール ○望月章志・都甲浩芳・久々津直哉（NTT） ED2010-166 |
[more] | ED2010-166 pp.47-52 |
| ED | 2010-12-17 10:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ○酒井啓之・黒田正行・根来 昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2010-167 |
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] | ED2010-167 pp.53-58 |
| ED | 2010-12-17 11:15 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2010-168 |
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして，InGaAs チャネル層内に電子の... [more] | ED2010-168 pp.59-64 |
| ED | 2010-12-17 13:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生 ○出崎 光・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2010-169 |
マイクロ波と赤外光の中間周波数帯「テラヘルツギャップ」の広帯域、高効率光源開発へ向け、本発表では非線形光学結晶における差... [more] | ED2010-169 pp.65-68 |
| ED | 2010-12-17 13:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | テラヘルツ偏光分光の一軸変形高分子材料その場評価への応用 ○渡邉健太・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2010-170 |
我々はQ-sw Nd:YAGレーザ (1064nm)励起のCr:Forsteriteレーザ (1240,1240～128... [more] | ED2010-170 pp.69-72 |
| ED | 2010-12-17 13:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 有機物分子性伝導体TTF-TCNQ単結晶のテラヘルツ物性とその応用 ○大橋隆宏・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2010-171 |
高い電気伝導性を有する有機分子性伝導体は、その電気伝導機構に分子間相互作用が関係していると考えられている。そこで有機伝導... [more] | ED2010-171 pp.73-76 |
| ED | 2010-12-17 14:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］Key components of terahertz remote sensing system ○Juraj Darmo・Michael Martl・Daniel Dietze・Gottfried Strasser・Karl Unterrainer（Vienna Univ. of Tech.） ED2010-172 |
[more] | ED2010-172 pp.77-81 |
| ED | 2010-12-17 15:15 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 超平坦光コム発生器を用いたミリ波帯ビート信号の生成 ○諸橋 功・坂本高秀（NICT）・外林秀之（NICT/青学大）・川西哲也・寳迫 巌（NICT） ED2010-173 |
本稿では，マッハツェンダ変調器ベース超平坦光コム発生器を用いたミリ波帯ビート信号発生法について報告する．光コム発生器によ... [more] | ED2010-173 pp.83-86 |
| ED | 2010-12-17 15:40 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ポンプ-プローブ・レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による低温成長ガリウム砒素（LT-GaAs）光伝導スイッチのキャリアダイナミクスに関する研究 ○藤原昌悟・川山 巌・村上博成・斗内政吉（阪大） ED2010-174 |
[more] | ED2010-174 pp.87-90 |
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