研究会開催プログラム - 2005-10-LQE-ED-CPM

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電子部品・材料研究会（CPM）

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専門委員長		石井清
副委員長		上村喜一
幹事		北本仁孝，松浦徹
幹事補佐		清水英彦，豊田誠治

レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）

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専門委員長		東盛裕一
副委員長		栖原敏明
幹事		吉村了行，八田竜夫
幹事補佐		田所貴志

電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		和保孝夫
副委員長		葛原正明
幹事		田中毅，新井学
幹事補佐		高谷信一郎

日時	2005年10月13日(木)　09:30 - 18:00 2005年10月14日(金)　09:00 - 16:30 2005年10月15日(土)　09:00 - 12:00
議題	窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般（窒化物半導体国際ワークショップ）
会場名	立命館大学びわこ・くさつキャンパスローム記念館5階大会議室
住所	〒525-8577 滋賀県草津市野路東１丁目1-1
交通案内	JR南草津駅から近江鉄道バスで「立命館大学行き」または「立命館大学経由飛島グリーンヒル行き」にて約8分「立命館大学」下車 http://www.ritsumei.ac.jp/mng/gl/koho/annai/profile/access/
会場世話人連絡先	理工学部電子光情報工学科名西やすし 077-566-1111
他の共催	◆窒化物半導体国際ワークショップ共催
お知らせ	◎13日研究会終了後，下記のように懇親会を予定していますので是非御参加ください．時間：１８：３０～２０：００場所：立命館大学びわこ・くさつキャンパスユニオンスクエア2階レストランラ・ポーズ会費：３０００円

10月13日(木) 午前特別セッションテーマ ”InNはどこまでよくなったか？” 09:30 - 12:20
(1)	09:30-09:50	凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化	○武藤大祐・直井弘之・荒木　努・北川幸雄・黒内正仁・羅　ヒョンソク・名西やすし（立命館大）
(2)	09:50-10:10	常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性	○三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大）
(3)	10:10-10:30	ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長～無極性InNの検討～	○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木　努・直井弘之・名西やすし（立命館大）
(4)	10:30-10:50	原子状水素照射によるInNの極性評価	○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木　彰・荒木　努・名西やすし（立命館大）
	10:50-11:00	休憩　（ 10分）
(5)	11:00-11:20	RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価	○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）
(6)	11:20-11:40	RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価	○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木　努・名西やすし（立命館大）
(7)	11:40-12:00	AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価	○寺嶋　亘・崔　成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大）
(8)	12:00-12:20	CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果	○永井泰彦・三輪浩士・丹羽弘和・橋本明弘・山本あきお（福井大）
10月13日(木) 午後特別セッションテーマ "GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか？" 13:30 - 18:00
(9)	13:30-13:50	C帯170W出力GaN-HEMTの開発	○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木　隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男（東芝）
(10)	13:50-14:10	Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs	○Kenji Shiojima・Takashi Makimura・Tetsuya Suemitsu・Naoteru Shigekawa・Masanobu Hiroki・Haruki Yokoyama（NTT）
(11)	14:10-14:30	高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs	○熊倉一英・牧本俊樹（NTT）
(12)	14:30-14:50	リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT	○中田　健・川崎　健・八重樫誠司（ユーディナデバイス）
(13)	14:50-15:10	GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ	○中澤敏志・上田哲三・井上　薫・田中　毅（松下電器）・石川博康・江川孝志（名工大）
(14)	15:10-15:30	Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価	○片山義章・石川博康・江川孝志（名工大）
	15:30-15:40	休憩　（ 10分）
(15)	15:40-16:00	AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程	○小谷淳二・葛西誠也・長谷川英機・橋詰　保（北大）
(16)	16:00-16:20	GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究	○檜木啓宏（立命館大）・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）
(17)	16:20-16:40	AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク	○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）
(18)	16:40-17:00	Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響	○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金　聖祐・鈴木敏正（日本工大）
(19)	17:00-17:20	n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性	○重川直輝・西村一巳・横山春喜（NTT）・宝川幸司（神奈川工科大）
(20)	17:20-17:40	RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成	○及川　武・佐藤威友・長谷川英機・橋詰　保（北大）
(21)	17:40-18:00	薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET	○東脇正高・小野島紀夫・松井敏明（NICT）
10月14日(金) 午前結晶成長・特性評価 09:00 - 14:00
(22)	09:00-09:20	四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション	○木村健司・松岡隆志（東北大）
(23)	09:20-09:40	PLD法により低温成長したⅢ族窒化物の特性	○藤岡　洋（東大/神奈川科学技術アカデミー）・太田実雄・井上　茂・小林　篤・岡本浩一郎（東大）・金　太源・松木伸行（神奈川科学技術アカデミー）
(24)	09:40-10:00	化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積	○小林俊章・平山航史・江川慎一・秋山誠和子・杉本浩一・馬場太一・本田　徹・川西英雄（工学院大）
(25)	10:00-10:20	GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討	○馬場太一・秋山誠和子・江川慎一・小林俊章・蓮沼範行・本田　徹・川西英雄（工学院大）
	10:20-10:30	休憩　（ 10分）
(26)	10:30-10:50	研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価	○増田規宏・石賀　章・劉　玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・原口雅也・桑野範之（九大）
(27)	10:50-11:10	高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響	○勝野琢弥・大西　孝・劉　玉懐・黎　大兵（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・三宅秀人・平松和政（三重大）
(28)	11:10-11:30	昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長	○土屋法隆・クリッシュナンバラクリッシュナン・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）・下野健二・野呂匡志・高木　俊（イビデン）・古庄智明（シクスオン）
(29)	11:30-11:50	高品質SiCウェーハの開発	○古庄智明・小林良平・佐々木　信・林　利彦・木下博之・塩見　弘（シクスオン）
	11:50-13:00	昼食　（ 70分）
(30)	13:00-13:20	ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ	○古川拓也・木村　健・佐藤威友・葛西誠也・長谷川英機・橋詰　保（北大）
(31)	13:20-13:40	AlGaN/GaNへテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ	○松尾一心・木村　健・長谷川英機・橋詰　保（北大）
(32)	13:40-14:00	窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成	○藤井克司（JST）・小野雅人・伊藤高志・岩城安浩（東京理科大）・大川和宏（東京理科大/JST）
10月14日(金) 午後特別セッションテーマ "GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは？" 14:00 - 16:30
(33)	14:00-14:20	高効率・高出力GaN系半導体レーザ	○蔵本恭介・大野彰仁（三菱電機）・山田智雄・岡川広明（三菱電線）・川津善平・川崎和重・冨田信之・塩沢勝臣・金本恭三・渡辺　寛・竹見政義・八木哲哉（三菱電機）・村田博昭（三菱電線）・島　顕洋（三菱電機）
(34)	14:20-14:40	光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ	○狩野隆司・野村康彦・畑　雅幸・井上大二朗・庄野昌幸（三洋電機）
	14:40-14:50	休憩　（ 10分）
(35)	14:50-15:10	ＲＦ分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価	○菊池昭彦・多田　誠・岸野克巳（上智大）
(36)	15:10-15:30	330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測	○平山秀樹・高野隆好（理研）・大橋智昭（理研/埼玉大）・藤川紗千恵（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・近藤行廣（理研）
(37)	15:30-15:50	InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係	○金田昭男・船戸　充（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大）
(38)	15:50-16:10	InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光	○船戸　充・小谷晃央・近藤　剛・西塚幸司（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大）
(39)	16:10-16:30	2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価	○池永和正・生方映徳・山口　晃・阿久津仲男・藤居勤二・松本　功（大陽日酸）
10月15日(土) 午前窒化物半導体に関するディスカッションセッション 09:00 - 12:00
(40)	09:00-10:00	１．GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばせるのか？ディスカッションリーダー：塩島謙次内容：GaN電子デバイスの現状と課題のピックアップエピとデバイス特性の相関
(41)	10:00-11:00	２．内部量子効率100％を目指してディスカッションリーダー：川上養一検討内容：極性とデバイス性能、ドーピング効率、転位と発光効率、組成不均一性、点欠陥と発光。
(42)	11:00-12:00	３．ナイトライド基板の将来ディスカッションリーダー：碓井彰内容：気相成長法 vs.液相成長法 vs.フラックス法 vs.アンモノサーマル法生産能力、コスト

講演時間
一般講演（20）	発表 15 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM） [今後の予定はこちら]
	問合先	北本仁孝（東京工業大学） TEL 045-924-5424, FAX 045-924-5433 E-: iem 松浦徹（ATR） TEL 0774-95-1173, FAX 0774-95-1178 E-: hmatr
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） [今後の予定はこちら]
	問合先	吉村了行（ＮＴＴ） TEL 046-240-3249, FAX 046-240-4345 E-: ryaecl 八田竜夫（三菱電機） TEL 072-780-2653, FAX 072-780-2663 E-: tlsilco
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	田中毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-: pac 新井学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-: injr 高谷信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-: crl