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マイクロ波研究会（MW）

[schedule] [select]

専門委員長		荒木純道
副委員長		橋本修
幹事		豊田一彦，丸橋建一
幹事補佐		河合正，和田光司

電子デバイス研究会（ED）

[schedule] [select]

専門委員長		和保孝夫
副委員長		葛原正明
幹事		田中毅，新井学
幹事補佐		高谷信一郎

日時	2006年 1月18日(水)　13:30 - 16:35 2006年 1月19日(木)　10:20 - 16:00 2006年 1月20日(金)　09:00 - 18:10
議題	化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス
会場名	機械振興会館
他の共催	◆IEEE MTT-S Japan Chapter 共催

1月18日(水) 午後 13:30 - 16:35
(1)	13:30-13:55	フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナー構造ガンVCO	○吉田　孝・深澤義道・出口忠義・川口　清・杉山隆啓・中川　敦（新日本無線）
(2)	13:55-14:20	InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路	○鈴木俊秀・川野陽一・中舎安宏・牧山剛三・高橋　剛・原　直紀・廣瀬達哉（富士通研）
(3)	14:20-14:45	80Gbit/s動作 InP HBT 1:4デマルチプレクサIC	○佐野公一・福山裕之・村田浩一・栗島賢二・柏尾典秀・榎木孝知・菅原裕彦（NTT）
(4)	14:45-15:10	120GHｚ帯10Gbit/s ワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール～非圧縮HD映像の多重伝送，ストレージ間データ転送装置へ向けて～	○小杉敏彦・枚田明彦・徳光雅美・菅原裕彦（NTT）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分）
(5)	15:20-15:45	ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大	○鹿嶋一生・諏訪　輝（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）
(6)	15:45-16:10	ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測	○町田信也（東工大/JST）・五十嵐満彦・山田朋宏（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）
(7)	16:10-16:35	InGaP/GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響	○黒川愛里・金　智・小野　洋・内田和男・野崎眞次・森崎　弘（電通大）
1月19日(木) 午前 10:20 - 16:00
(8)	10:20-10:45	GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析	高柳大樹・○板垣圭一・仲野博之・堀尾和重（芝浦工大）
(9)	10:45-11:10	Analysis of Gate-Lag Phenomena in Unpassivarwd AlGaN/GaN HEMTs	○Alberto F. Basile・Junji Kotani・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ）
(10)	11:10-11:35	GaN系MIS構造の高温でのC-V評価	○加藤寛樹・ミツェークマルチン・橋詰　保（北大）
(11)	11:35-12:00	格子整合系六方晶ＩｎＡｌＧａＮ四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数	○瀧澤俊幸・中澤敏志・上田哲三・田中　毅（松下電器）・江川孝志（名工大）
	12:00-13:20	昼食　（ 80分）
(12)	13:20-13:45	低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET	○出口忠義・脇　英司・小野　悟・山下明一・鎌田　厚・中川　敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大）
(13)	13:45-14:10	リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT	○見田充郎・海部勝晶・伊藤正紀・佐野芳明（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大）
(14)	14:10-14:35	無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作	○黒田正行・石田秀俊・上田哲三・田中　毅（松下電器）
	14:35-14:45	休憩　（ 10分）
(15)	14:45-15:10	0.15-mm-dual-gate AlGaN/GaN HEMT mixers	○Kenji Shiojima・Takashi Makimura・Toshihiko Kosugi・Tetsuya Suemitsu・Naoteru Shigekawa・Masanobu Hiroki・Haruki Yokoyama（NTT）
(16)	15:10-15:35	基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT	○吉川俊英・今西健治・金村雅仁・常信和清（富士通研）
(17)	15:35-16:00	高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT	○金村雅仁・吉川俊英・岩井大介・今西健治・久保徳郎・常信和清（富士通研）
1月20日(金) 午前 09:00 - 18:10
(18)	09:00-09:25	タップ給電/タップ段間結合を用いた有極形共振器BPFの設計に関する一検討～両端開放型共振器を適用した場合に着目して～	和田光司・○松本　真・岩崎　俊（電通大）
(19)	09:25-09:50	有極特性を有する広帯域マイクロストリップ線路BPFの実験的検討～分布定数タップ結合共振器を用いた構成に着目して～	○谷井宏成（電通大）・西村　太・笹部孝司・植野嘉章（松下電工）・和田光司・岩崎　俊（電通大）
(20)	09:50-10:15	コンポジット共振器とSIRを併用した広い阻止域を持つ有極形帯域通過フィルタ	○三木　仁・馬　哲旺・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大）・萩原　玄（リンクサーキット）
(21)	10:15-10:40	コンポジット共振器を用いたデュアルバンド帯域通過フィルタ	馬　哲旺・○清水太一・三木　仁・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大）・萩原　玄（リンクサーキット）
	10:40-10:50	休憩　（ 10分）
(22)	10:50-11:15	導体基板付コプレナーストリップによる右手系/左手系複合線路(CRLH-TL)の構成法と放射特性	○後藤　令・出口博之・辻　幹男・繁沢　宏（同志社大）
(23)	11:15-11:40	製造誤差による特性変動を軽減するLTCC内蔵90度ハイブリッド	○湯浅　健・田原志浩・大橋英征（三菱電機）
(24)	11:40-12:05	T型可変アドミタンスインバータを用いた周波数可変増幅器	○内田浩光・小倉健太郎・米田尚史・小西善彦・牧野　滋（三菱電機）
	12:05-13:35	昼食　（ 90分）
(25)	13:35-14:00	電圧変換回路を用いた高リニアリティVCO	○水谷浩之・津留正臣・松塚隆之・長明健一郎・川上憲司・宮崎守泰（三菱電機）
(26)	14:00-14:25	2種の自己注入同期法による60GHz帯NRDガイドガン発振器の周波数安定化	黒木太司・○石川頌平（呉高専）・米山　務（東北工大）
(27)	14:25-14:50	60GHz帯垂直ストリップ線路装荷NRDガイド検波器の特性	黒木太司・○村田雄介・舛本亮太（呉高専）・米山　務（東北工大）
(28)	14:50-15:15	壁掛けTVアンテナ用進行波形自己補対アンテナ	○黒木太司・太田宙志（呉高専）・山口倫史・末松英治（シャープ）
	15:15-15:25	休憩　（ 10分）
(29)	15:25-15:50	複数レーンETC料金所における電波環境に関する検討	○一之瀬寛智・尾崎　敏・橋本　修（青学大）・津留孝俊（中日本高速道路）
(30)	15:50-16:15	FDTD法、CIP法およびR-CIP法を用いた矩形波の伝播特性に関する検討	○角田陽一・渡邊慎也・橋本　修（青学大）
(31)	16:15-16:40	高電力下における抵抗皮膜を用いたλ/4型電波吸収体の温度分布に関する解析および実験的検討	渡邊慎也・斉藤耕太・○谷口晶俊・橋本　修（青学大）・斉藤寿文（TDK）
	16:40-16:50	休憩　（ 10分）
(32)	16:50-18:10	［特別講演］第35回欧州マイクロ波会議出席報告	○穴田哲夫（神奈川大）・久保　洋（山口大）・黒木太司（呉高専）・出口博之（同志社大）・内田浩光・西野　有・山中宏治（三菱電機）・姉川　修（ユーディナデバイス）・川島宗也（NTT）

講演時間
一般講演（25分）	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
MW	マイクロ波研究会（MW） [今後の予定はこちら]
	問合先	和田光司 (電通大) TEL:0424-43-5212,FAX:0424-43-5212 E-:eec
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	田中毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-: erlci 新井学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-: injr 高谷信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-: crl