10月25日(木) 午後  15:20 - 17:00
(1)	15:20-15:45	SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 SDM2012-89	○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室　隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大）
(2)	15:45-16:10	AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 SDM2012-90	○岡田葉月・小松　新・渡辺将人（東京都市大）・泉　雄大・室　隆圭介（高輝度光科学研究センター）・澤野憲太郎・野平博司（東京都市大）
(3)	16:10-16:35	微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 SDM2012-91	○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）
(4)	16:35-17:00	温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析	○松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・江利口浩二・斧　高一（京大）
	17:00-17:30	休憩　（ 30分 ）
	17:30-19:30	懇親会　（ 120分 ）
10月26日(金) 午前  09:30 - 14:15
(5)	09:30-09:55	Noise Performance of Accumulation MOSFETs SDM2012-92	○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）
(6)	09:55-10:20	PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス SDM2012-93	○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大）
(7)	10:20-11:50	［特別講演］シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 SDM2012-94	○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利（東北大）
	11:50-13:00	昼食　（ 70分 ）
(8)	13:00-13:25	Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator SDM2012-95	○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
(9)	13:25-13:50	Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering SDM2012-96	○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
(10)	13:50-14:15	シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術 SDM2012-97	○酒井　健・吉田達朗（東北大）・吉川和博（東北大/アプリシアテクノロジー）・大見忠弘（東北大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o

Last modified: 2012-08-17 13:51:30