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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2020年11月19日(木) 09:55 - 17:10
2020年11月20日(金) 09:30 - 17:40
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 オンライン開催 
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

11月19日(木) 午前 
09:55 - 12:00
  09:55-10:00 挨拶 ( 5分 )
(1) 10:00-11:00 [招待講演]SISPAD2020レビュー SDM2020-22 相馬聡文神戸大
(2) 11:00-12:00 [招待講演]古典MDで再現されたHigh-kゲートスタックの界面ダイポール SDM2020-23 渡邉孝信早大
  12:00-13:10 昼食 ( 70分 )
11月19日(木) 午後 
13:10 - 15:10
(3) 13:10-14:10 [招待講演]大規模第一原理計算とデバイス・プロセスシミュレータ統合に向けて SDM2020-24 押山 淳名大
(4) 14:10-15:10 [招待講演]第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル SDM2020-25 野田祐輔金沢学院大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
11月19日(木) 午後 
15:20 - 17:10
(5) 15:20-16:20 [招待講演]裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出 SDM2020-26 國清辰也佐藤英則神野 健飯塚康治園田賢一郎山下朋弘ルネサス エレクトロニクス
(6) 16:20-16:45 A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors SDM2020-27 Yen Le ThiHanoi University of Science and Technology)・Yoshinari KamakuraOsaka Institute of Technology)・Nobuya MoriGraduate School of Engineering, Osaka University,
(7) 16:45-17:10 モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析 SDM2020-28 鈴木悠平藤田悠摩阪工大)・ファウジア ホティマトゥル野北崇人池田浩也静岡大)・渡邉孝信早大)・鎌倉良成阪工大
11月20日(金) 午前 
09:30 - 12:30
(8) 09:30-10:30 [招待講演]シリコン量子コンピュータ開発の現状 伊藤公平慶大
(9) 10:30-11:30 [招待講演]ゲート電圧波形の機械学習を用いたパワーデバイスの劣化推定 SDM2020-29 山崎大夢宮崎耕太郎羅 揚イスラム マーフズル畑 勝裕桜井貴康・○高宮 真東大
(10) 11:30-12:30 [招待講演]Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション ~ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ~ SDM2020-30 執行直之渡辺正裕角嶋邦之星井拓也古川和由東工大)・中島 昭産総研)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・若林 整宗田伊里也東工大)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大
  12:30-13:30 昼食 ( 60分 )
11月20日(金) 午後 
13:30 - 15:30
(11) 13:30-14:30 [招待講演]反応性力場分子動力学計算および量子化学計算を活用したCVD/ALD薄膜堆積機構の解析 SDM2020-31 徳増 崇上根直也馬渕拓哉東北大)・財津 優安原重雄JAC
(12) 14:30-15:30 [招待講演]絶縁膜原子層エッチングにおける加工特性の定量考察 SDM2020-32 久保井信行ソニーセミコンダクタソリューションズ
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
11月20日(金) 午後 
15:40 - 17:40
(13) 15:40-16:40 [招待講演]ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション SDM2020-33 森 伸也橋本風渡三島嵩也田中 一阪大
(14) 16:40-17:40 [招待講演]第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション SDM2020-34 浅井栄大産総研)・黒田龍哉阪大)・福田浩一服部淳一池上 努産総研)・森 伸也阪大

講演時間
招待講演発表 50 分 + 質疑応答 10 分
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 〒570-8501 大阪府守口市八雲中町3丁目1番1号
パナソニック株式会社
野田泰史
TEL 080-8442-6837
E-:noda.taiji[atmark]jp.panasonic.com

〒573-0196 大阪府枚方市北山1-79-1
大阪工業大学
鎌倉良成
TEL 072-866-5381
E-:yoshinari.kamakura[atmark]oit.ac.jp 


Last modified: 2020-09-29 01:17:18


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