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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-19 16:20 A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors ○Yen Le Thi（Hanoi University of Science and Technology）・Yoshinari Kamakura（Osaka Institute of Technology）・Nobuya Mori（Graduate School of Engineering, Osaka University,）  SDM2020-27 |
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| 抄録 | （和） | The barrier infrared detector fabricated with InAs/GaSb type-II superlattice emerges as a solution to a significant reduction in dark current compared to conventional p-i-n photodetectors. In this study, the barrier photodetectors composed of a contact layer, a barrier layer, and an active region (n-type) are evaluated by simulating the two different engineered structures, i.e., pBn and nBn. Numerical simulation results suggest that both structures could be used to reduce the dark current and there exists optimum doping density. We discuss the physical mechanisms behind the observed characteristics. |
| （英） | The barrier infrared detector fabricated with InAs/GaSb type-II superlattice emerges as a solution to a significant reduction in dark current compared to conventional p-i-n photodetectors. In this study, the barrier photodetectors composed of a contact layer, a barrier layer, and an active region (n-type) are evaluated by simulating the two different engineered structures, i.e., pBn and nBn. Numerical simulation results suggest that both structures could be used to reduce the dark current and there exists optimum doping density. We discuss the physical mechanisms behind the observed characteristics. | |
| キーワード | （和） | infrared photodetector / superlattice / dark current / / / / / |
| （英） | infrared photodetector / superlattice / dark current / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 239, SDM2020-27, pp. 25-27, 2020年11月. | |
| 資料番号 | SDM2020-27 | |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2020-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2020-11-19 - 2020-11-20 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2020-11-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | infrared photodetector / infrared photodetector |
| キーワード(2)（和/英） | superlattice / superlattice |
| キーワード(3)（和/英） | dark current / dark current |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yen Le Thi / Yen Le Thi / |
| 第1著者 所属（和/英） | Hanoi University of Science and Technology (略称： Hanoi University of Science and Technology) Hanoi University of Science and Technology (略称： Hanoi University of Science and Technology) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yoshinari Kamakura / Yoshinari Kamakura / |
| 第2著者 所属（和/英） | Osaka Institute of Technology (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Institute of Technology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Nobuya Mori / Nobuya Mori / |
| 第3著者 所属（和/英） | Graduate School of Engineering, Osaka University, (略称： Graduate School of Engineering, Osaka University,) Graduate School of Engineering, Osaka University, (略称： Graduate School of Engineering, Osaka University,) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-19 16:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2020-27 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.239 |
| ページ範囲 | pp.25-27 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) |
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