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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
副委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
幹事 大庭 直樹 (NTT), 野毛 悟 (沼津高専)
幹事補佐 今井 欽之 (NTT), 阿部 克也 (信州大)

日時 2009年10月29日(木) 14:00 - 17:30
2009年10月30日(金) 09:00 - 11:40
議題 薄膜プロセス・材料、一般 
会場名 富山県立大学 工学部 L棟2階L205会議室 
住所 富山県射水市黒河5180
交通案内 JR小杉駅南口より徒歩約25分、タクシー約5分。 JR小杉駅南口バス停のりば 小杉駅・太閤山線(8:39から1時間間隔で発車)または小杉地区循環線(8:35から2時間間隔)「富山県立大学前」下車徒歩1分。
http://www.pu-toyama.ac.jp/access/campus.html
会場世話人
連絡先
富山県立大学 工学部 安達正利
0766-56-7500
他の共催 ◆富山県立大学工学部
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月29日(木) 午後 
14:00 - 17:30
(1) 14:00-14:25 硫化法によるCZTS薄膜太陽電池 CPM2009-89 関 拓郎五十嵐重雄漢人康善信州大)・百瀬成空長野高専)・橋本佳男伊東謙太郎信州大
(2) 14:25-14:50 低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価 CPM2009-90 佐野裕紀都築 暁梅田卓司成田 克鈴木貴彦廣瀬文彦山形大
(3) 14:50-15:15 有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成 CPM2009-91 橋本将貴鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大
(4) 15:15-15:40 塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成 CPM2009-92 廣瀬文彦鹿又健作成田 克山形大
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(5) 15:50-16:15 反応性RFスパッタリングによるCuInO2薄膜の作製と評価 小川 翼倉石央騎小林由貴山上朋彦林部林平阿部克也信州大
(6) 16:15-16:40 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価 CPM2009-93 斉藤裕史萩野達也松本純樹山上朋彦林部林平上村喜一信州大
(7) 16:40-17:05 単層カーボンナノチューブとポリイミド複合体の微細パターン形成技術と電界電子放出特性 CPM2009-94 石山勝也伊東栄次信州大
(8) 17:05-17:30 ディッピング法によって溶液から析出するC60結晶成長 ~ ハイパフォーマンス・ナノスケール電界効果型C60トランジスタの簡易作製を目指して ~ CPM2009-95 岩田展幸栗原浩平飯尾靖也山本 寛日大
10月30日(金) 午前 
09:00 - 11:40
(9) 09:00-09:25 Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価 CPM2009-96 黒田朋義大谷孝史加藤有行高田雅介赤羽正志安井寛治長岡技科大
(10) 09:25-09:50 タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカルアニールによるZnO:Al薄膜の低抵抗化 CPM2009-97 大島 穣田原将巳モハマド ハニフ長岡技科大)・片桐裕則新保和夫長岡高専)・黒木雄一郎高田雅介・○安井寛治長岡技科大
(11) 09:50-10:15 高濃度BドープSi/SiGeB多層膜の熱電特性 CPM2009-98 的場彰成佐々木公洋金沢大
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(12) 10:25-10:50 制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO2薄膜のアニール効果の検討 CPM2009-99 猪阪直也周 英佐々木公洋金沢大
(13) 10:50-11:15 スパッタ法によるSrAl2O4薄膜の高速堆積法の検討 CPM2009-100 纐纈正和久野敬史齋藤 稔清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎新潟大
(14) 11:15-11:40 スパッタ法によるMg系合金薄膜の特性の検討 CPM2009-101 岡田智弘清水健児丹内俊郎清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎新潟大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 阿部 克也(信州大学)
E-: abenshu-u 


Last modified: 2009-08-25 13:07:06


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