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電子部品・材料研究会（CPM）

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専門委員長		石井清
副委員長		上村喜一
幹事		松浦徹，豊田誠治
幹事補佐		清水英彦，竹村泰司

日時	2006年11月 9日(木)　13:30 - 17:25 2006年11月10日(金)　09:00 - 12:05
議題	薄膜プロセス・材料、一般
会場名	金沢大学角間キャンパス
住所	〒920-1192 金沢市角間町
交通案内	JR金沢駅から北陸鉄道バスにて約40分 http://www.kanazawa-u.ac.jp/j/info/access/access.html
会場世話人連絡先	金沢大学大学院電子情報科学専攻森本章治 076-234-4876

11月9日(木) 午後 13:30 - 17:25
(1)	13:30-13:55	スパッタ法によるAZO薄膜の作製	○川上　歩・野口　亨・東出陽幸・宮崎紳介・清水英彦・丸山武男・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星　陽一（東京工芸大）
(2)	13:55-14:20	プラスチック基板上へのITO薄膜の作製	○竹内正樹・森下和哉・梅津　岳・中田悠介・宮崎紳介・清水英彦・丸山武男・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星　陽一（東京工芸大）・皆川正寛（日本精機）
(3)	14:20-14:45	RFマグネトロンスパッタ法によるCr2O3薄膜の作製	○浅田　毅・長瀬研二朗・山田貴之・岩田展幸・山本　寛（日大）
(4)	14:45-15:10	Ni/Mo層上におけるカーボンナノチューブの成長制御	○奥山博基・岩田展幸・山本　寛（日大）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分）
(5)	15:20-15:45	RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価	○味村　裕・寺嶋　亘（千葉大）・崔　成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST）
(6)	15:45-16:10	反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用	○塩野晃宏・中久木政秀・小林勲生・山上朋彦・林部林平（信州大）・小畑元樹（シチズンファインテック）・阿部克也・上村喜一（信州大）
(7)	16:10-16:35	Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討	○野矢　厚・佐藤　勝・武山真弓（北見工大）・青柳英二（東北大）
(8)	16:35-17:00	Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討	○武山真弓・柳田賢善・野矢　厚（北見工大）
(9)	17:00-17:25	HW法により成膜された極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性	○佐藤　勝・武山真弓・野矢　厚（北見工大）
11月10日(金) 午前 09:00 - 12:05
(10)	09:00-09:25	IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGeの表面ラフネス制御	○山本　純・坂口勇太・成瀬公博・佐々木公洋（金沢大）
(11)	09:25-09:50	劣化エピタキシャル成長したSiGe薄膜の熱電性能～基板の影響～	○的場彰成・早平寿夫・都築崇博・佐々木公洋（金沢大）・岡本庸一・守本　純（防衛大）
(12)	09:50-10:15	SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成	○金丸哲史・荻原智明・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大）
(13)	10:15-10:40	MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象	○杉田憲一・宝珍禎則・橋本明弘・山本暠勇（福井大）
	10:40-10:50	休憩　（ 10分）
(14)	10:50-11:15	制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜作製における成長遅れ時間	○杉山英孝・小島述央・山岸大朗・周　英・佐々木公洋（金沢大）
(15)	11:15-11:40	酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置	○千葉　忍（金沢大/CBC）・佐々木公洋（金沢大）・元木　詮（CBC）・畑　朋延（JST）・伊藤昭彦（芝浦メカトロニクス）
(16)	11:40-12:05	スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板表面あらさの影響	○岩坪　聡・清水孝晃（富山県工技センター）

講演時間
一般講演（25）	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM） [今後の予定はこちら]
	問合先	清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E-: engi-u 森本章治（金沢大学） Tel: 076-234-4876 Fax: 076-234-4870 E-: atect-u 安井寛治（長岡技術科学大学） TEL 0258-47-9502 FAX 0258-47-9500 E-: kivosut