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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2015-12-21 13:45 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT）  ED2015-92 |
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度30... [more] | ED2015-92 pp.7-11 |
| PEM (第二種研究会) |
2015-11-27 - 2015-11-28 |
京都 | Doshisha Univ. | W-band Transmission Imaging by Photonics-Based Millimeter-Wave Synthesizer and High-Power Traveling-Wave-Tube Amplifier ○Atsushi Kanno・Norihiko Sekine・Akifumi Kasamatsu・Naokatsu Yamamoto（NICT） |
ミリ波信号光生成技術と高出力進行波型管増幅器を用いたW帯非破壊透過イメージングの検証を行った。 [more] | |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2015-10-30 14:50 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター | マッハツェンダ変調器型光コム発生器を用いた電気光学サンプリングによるサブテラヘルツ帯周波数計測 ○諸橋 功（NICT）・桐ケ谷茉夕・金子優太・片山郁文（横浜国大）・入交芳久・坂本高秀・関根徳彦・笠松章史・寶迫 巌（NICT） OCS2015-79 OPE2015-129 LQE2015-98 |
(事前公開アブストラクト) 近年、光コムを用いたテラヘルツ帯周波数計測やそれを用いた量子カスケードレーザーのフェーズロッ... [more] | OCS2015-79 OPE2015-129 LQE2015-98 pp.187-190 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | チャープ制御したフェムト秒パルス励起によるGaP結晶からのTHz波発生 ○浜崎淳一・関根徳彦・笠松章史・寶迫 巌（NICT） OPE2015-14 LQE2015-24 |
光整流効果でテラヘルツ波を発生させる場合，通常はチャープ補償したフェムト秒パルスを励起光として用いる．しかしテラヘルツ波... [more] | OPE2015-14 LQE2015-24 pp.21-24 |
| ED | 2014-12-22 14:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性 ○渡邊一世（NICT）・遠藤 聡（NICT/富士通研）・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2014-101 |
InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ（HEMT）は，高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく，ミリ波帯... [more] | ED2014-101 pp.15-19 |
| ED | 2014-12-22 15:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2014-102 |
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては，ゲート長Lg の短縮に加えて，短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] | ED2014-102 pp.21-26 |
| ED | 2014-08-01 11:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） ED2014-55 |
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more] |
ED2014-55 pp.13-18 |
| ED | 2013-12-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研 | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2013-92 |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては... [more] | ED2013-92 pp.13-17 |
| ED | 2012-12-17 13:00 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2012-93 |
InAlAs/InGaAs系HEMTをより高速化する手段の一つとして，InGaAsチャネル層内にInAs層を導入したIn... [more] | ED2012-93 pp.1-6 |
| ED | 2012-12-18 11:40 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes ○Mikhail Patrashin・Norihiko Sekine・Akifumi Kasamatsu・Issei Watanabe・Iwao Hosako（NICT）・Tsuyoshi Takahashi・Masaru Sato・Yasuhiro Nakasha・Naoki Hara（Fujitsu Lab.） ED2012-106 |
[more] | ED2012-106 pp.75-76 |
| AP, MW (併催) |
2012-09-28 10:00 |
埼玉 | KDDI研究所（上福岡） | 拡張された負性抵抗領域を持つメゾスコピック超伝導SNS接合アレー素子のセンサ応用 ○松井敏明・川上 彰・笠松章史（NICT） MW2012-73 |
[more] | MW2012-73 pp.43-48 |
| ED | 2011-12-15 15:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | IEEE 802.15 Terahertz Interest Group (IGthz)におけるテラヘルツ波通信機器の標準化動向について ○味戸克裕・ソン ホジン・矢板 信・久々津直哉（NTT）・笠松章史・寶迫 巌（NICT） ED2011-118 |
[more] | ED2011-118 pp.101-102 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
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