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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2016-07-23
10:25
愛媛 愛媛大学工学部本館3階会議室 原料交互供給法による酸化スズナノワイヤーの成長と形状制御
寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専CPM2016-29
スズ(Sn)粉末と水(H2O)を原料,Au 薄膜を触媒とする大気圧 CVD 法において,Sn と H2O を時間的に分離... [more] CPM2016-29
pp.21-26
EMD, CPM, OME
(共催)
2015-06-19
14:30
東京 機械振興会館 大気圧CVD法による酸化スズ及び酸化ガリウムナノワイヤーの成長
寺迫智昭倉重利規愛媛大)・矢木正和香川高専EMD2015-14 CPM2015-24 OME2015-27
金属(スズもしくはガリウム)と水を原料,金(Au)を触媒に用いた大気圧化学気相堆積(CVD)法で成長温度,原料供給比及び... [more] EMD2015-14 CPM2015-24 OME2015-27
pp.17-22
SDM 2013-12-13
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価
福永圭吾畑山智亮矢野裕司岡本尚文谷 あゆみ石河泰明冬木 隆奈良先端大SDM2013-119
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] SDM2013-119
pp.19-23
ICD 2005-07-14
17:00
愛知 豊橋技術科学大学 集積回路との一体化を目指したマルチチャンネルSiマイクロプローブ神経電位センサ
船ヶ山直樹河野剛士高尾英邦澤田和明石田 誠豊橋技科大
VLS結晶成長法は、Si(111)基板上に微小なSiのプローブ形単結晶を成長することができる。本研究では特にこの微小Si... [more] ICD2005-54
pp.83-87
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