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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 岡田英之・○寺迫智昭・五丁健治・林本直也（愛媛大）  ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 |
硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加... [more] | ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 pp.49-54 |
| SDM | 2018-02-08 16:10 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］分子接合技術による次世代配線形成 ○八甫谷明彦（東芝）・森 邦夫（いおう化学研） SDM2017-103 |
被着体に分子1層を化学的に結合させて材料表面全体を同一化し，強固に接合できる分子接合技術を適用した。この技術を用いて，平... [more] | SDM2017-103 pp.31-34 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM | 2015-03-02 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 ○嶋 紘平（東大）・ツ ユアン・韓 斌・高見澤 悠（東北大）・清水秀治（東大）・清水康雄（東北大）・百瀬 健（東大）・井上耕治・永井康介（東北大）・霜垣幸浩（東大） SDM2014-169 |
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] | SDM2014-169 pp.39-44 |
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