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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2010-06-18 10:25 |
石川 | 北陸先端大 | 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 ○板垣陽介・浅川澄人・新屋秀秋・斉藤光史・須原理彦（首都大東京）  ED2010-43 |
共鳴トンネルダイオード(RTD)は、原理的にはTHz領域まで微分負性抵抗(NDR)を得られる能動デバイスである。しかし、... [more] | ED2010-43 pp.53-58 |
| ED | 2008-06-14 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 ○井城悠一（首都大東京）・品田唱秋（都立大）・直井 護（首都大東京）・朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2008-33 |
化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオード（TBRTD）の非線形小信号等価回路の同定と回路素子成分のバイアス電圧依存性を... [more] | ED2008-33 pp.61-66 |
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