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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2017-04-20 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM ○土田賢二（東芝）・Kwangmyoung Rho・Dongkeun Kim（SK hynix）・白井 豊（東芝）・Jihyae Bae（SK hynix）・稲場恒夫・野呂寛洋（東芝）・Hyunin Moon・Sungwoong Chung（SK hynix）・須之内一正（東芝）・Jinwon Park・Kiseon Park（SK hynix）・山本明人（東芝）・Seoungju Chung・Hyeongon Kim（SK hynix）  ICD2017-3 |
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] | ICD2017-3 pp.11-16 |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| ICD | 2010-04-22 15:45 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ，1/0平均化リファレンスセル，2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ○竹村理一郎・河原尊之（日立）・三浦勝哉・山本浩之（日立/東北大）・早川 純・松崎 望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌（日立）・池田正二（東北大）・長谷川晴弘・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） ICD2010-10 |
1.8 V動作，32 nsアクセス，セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは，150 n... [more] | ICD2010-10 pp.53-57 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
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