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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 14:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
青色半導体レーザにより結晶化したpoly-Si膜を用いた金属ソース/ドレイン構造TFT ○岡田竜弥・野口 隆（琉球大） |
これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることでa-Si 膜が結晶化可能であり、平坦な結晶化Si ... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 10:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］YAG:Ce蛍光体における遷移金属添加の発光特性に及ぼす影響 ○有村充生・川嶋智寛・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
白色LED用蛍光体として広く受けいれられているYAG:Ce蛍光体に遷移金属を共添加した試料を作製し、発光特性、残光特性に... [more] | |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2015-01-21 16:10 |
愛知 | 分子研（岡崎） | イオン液体ゲートトランジスタを用いたチオフェン系導電性高分子の絶縁体-金属転移 ○伊東 裕・原田知典・安藤良洋・黒田新一（名大）  OME2014-79 |
ポリビス(アルキルチオフェン)チエノチオフェン (PBTTT) 薄膜のイオン液体トランジスタにおける絶縁体-金属転移の挙... [more] | OME2014-79 pp.15-18 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ） ED2013-116 MW2013-181 |
我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイ... [more] | ED2013-116 MW2013-181 pp.35-39 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 14:44 |
静岡 | 静岡大学 | (Zn1-xMx)3V2O8蛍光体の作製とフォトルミネッセンス評価 ○李 廷廷・本多善太郎・福田武司・羅 キョウ蓮・鎌田憲彦（埼玉大） EID2012-17 |
出発原料としてZn (CH3COO)2•2H2O-NH4VO3を用いたゾル-ゲル法により，比較的低温作製が可... [more] | EID2012-17 pp.33-36 |
| SIS, IPSJ-AVM (連催) |
2010-09-02 15:45 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館第3中会議室 | ［招待講演］有機電子材料の産業への貢献と波及効果 ～ 材料基礎研究から生まれた大事業 ～ ○吉村 進（長崎総合科学大） SIS2010-23 |
新しい導電材料の研究は、成熟したシリコン・テクノロジーの次世代への期待を担って、長年に亙り進められてきた。東京大学の井口... [more] | SIS2010-23 pp.53-57 |
| EMD | 2009-12-18 14:55 |
千葉 | 千葉工業大学 津田沼キャンパス | 金属－カーボン系薄膜の電気的・機械的性質 ○松本 宏・鎌田智之・梅村 茂（千葉工大）・矢部光範（日本自動車大）・廣野 滋（MESアフティ）・丹羽 修（産総研）・刀 東風（西安交通大） EMD2009-110 |
金属ドープカーボン薄膜の成膜条件とその基礎的特性の関係を明らかにする一環として，RFスパッタ法によって成膜したNiドープ... [more] | EMD2009-110 pp.21-24 |
| ED | 2008-06-13 13:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ～ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ～ ○福島慶広・荻須啓太・葛原正明・塩島謙次（福井大） ED2008-23 |
4種類のMgドーピング濃度の異なるp-GaN上に10種類の電極金属を用いてショットキー接触を形成し、I-V、C-V特性か... [more] | ED2008-23 pp.5-10 |
| SDM | 2006-06-22 15:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE（Fully Germanided）電極の仕事関数決定要因の考察 ○土屋義規・吉木昌彦・木下敦寛・小山正人・古賀淳二・西山 彰（東芝） |
ゲート電極のメタル化技術（メタルゲート技術）における技術的課題である仕事関数（Φeff）制御について、我々の最近の検討結... [more] | SDM2006-64 pp.125-130 |
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