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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2017-04-20 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM ○土田賢二（東芝）・Kwangmyoung Rho・Dongkeun Kim（SK hynix）・白井 豊（東芝）・Jihyae Bae（SK hynix）・稲場恒夫・野呂寛洋（東芝）・Hyunin Moon・Sungwoong Chung（SK hynix）・須之内一正（東芝）・Jinwon Park・Kiseon Park（SK hynix）・山本明人（東芝）・Seoungju Chung・Hyeongon Kim（SK hynix）  ICD2017-3 |
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] | ICD2017-3 pp.11-16 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 14:15 |
東京 | 中央大学 | Co_2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現 ○篠原光貴・鈴木隆寛・高村陽太・中川茂樹（東工大） MR2016-16 |
強磁性トンネル接合素子（MTJ）に応用可能なスピン分極率が100％のハーフメタル強磁性体として期待されているCo基フルホ... [more] | MR2016-16 pp.19-24 |
| SDM | 2015-03-02 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-166 |
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて，メモリアレイのデータ保持特性... [more] | SDM2014-166 pp.23-28 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 16:35 |
東京 | 中央大学 | スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討 ○伊藤順一・與田博明・藤田 忍・下村尚治・北川英二・安部恵子・野村久美子・野口紘希（東芝） MR2013-13 |
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] | MR2013-13 pp.37-41 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-12-11 16:50 |
愛媛 | 愛媛大学総合情報メディアセンター１F メディアホール | ［招待講演］垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望 ○中山昌彦・甲斐 正・相川尚徳・小瀬木淳一・西山勝哉・永瀬俊彦・天野 実・池川純夫・岸 達也・與田博明（東芝） MR2008-44 |
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流Icと十分な熱擾乱指数?Eaを両立させることが必要である... [more] | MR2008-44 pp.37-41 |
| ICD | 2008-04-18 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 ○中山昌彦・甲斐 正・下村尚治・天野 実・北川英二・永瀬俊彦・吉川将寿・岸 達也・池川純夫・與田博明（東芝） ICD2008-14 |
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流と十分な情報不揮発性を両立させることが必要である。垂直磁... [more] | ICD2008-14 pp.75-78 |
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