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 8件中 1~8件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OCS, OPE, LQE
(共催)
2021-11-12
15:40
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]非冷却動作112Gb/s PAM4 InGaAlAs-MQW-DFB-BHレーザ
中原宏治菅 一輝岡本 薫早川茂則荒沢正敏西田哲也鷲野 隆北谷 健三瀧雅俊坂本裕則佐久間 康田中滋久日本ルメンタムOCS2021-25 OPE2021-45 LQE2021-24
データセンタ内での短距離光トランシーバ用送信光源として安価で低消費電力である直接変調レーザが待望視されている。本発表では... [more] OCS2021-25 OPE2021-45 LQE2021-24
pp.20-23
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-07
11:45
東京 慶應義塾大学 [招待講演]Recent Progress on 53-Gbaud EA/DFB and DFB Lasers for 400GbE Applications
Kazuhiko NaoeTakayuki NakajimaYoshihiro NakaiYoriyoshi YamaguchiYasushi SakumaNoriko SasadaOclaroOPE2018-133 LQE2018-143 SIPH2018-49
High speed lasers of both Electro-Absorption modulator integ... [more] OPE2018-133 LQE2018-143 SIPH2018-49
pp.183-188
SANE 2013-12-03
11:05
海外 VAST/VNSC(1日目) & Melia Hotel, Hanoi(2日目) An application to the wild fire detection of the uncooled micro bolometer camera onboard a small satellite
Tetsuya FukuharaHokkaido Univ.SANE2013-99
An uncooled microbolometer camera for detecting a wild fire ... [more] SANE2013-99
pp.163-168
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-30
11:05
北海道 サンリフレ函館 SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作
笹田紀子中西 慧佐久間 康鷲野 隆岡本 薫直江和彦日本オクラロ)・有本英生田中滋久日立R2013-51 EMD2013-57 CPM2013-76 OPE2013-80 LQE2013-50
InP半導体を用いたマッハツェンダー(MZ)型変調器のロスを補償するために、半導体増幅器(SOA)を集積したInP系MZ... [more] R2013-51 EMD2013-57 CPM2013-76 OPE2013-80 LQE2013-50
pp.113-116
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
16:50
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 1.3um帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
深町俊彦塩田貴支日立/光電子融合基盤技研)・北谷 健日立)・坂 卓磨日立/光電子融合基盤技研)・松岡康信三田玲英子日立)・足立光一朗篠田和典日立/光電子融合基盤技研)・菅原俊樹日立)・田中滋久辻 伸二日立/光電子融合基盤技研)・青木雅博日立PN2009-46 OPE2009-184 LQE2009-166
1.3μm帯直接変調レーザについて,95℃までの広範囲25Gbps無温調動作の実現性を検討した.今回,共振器長160μm... [more] PN2009-46 OPE2009-184 LQE2009-166
pp.61-64
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
15:20
東京 機械振興会館6階66号室 10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25~100℃)SMF80km伝送
小林 亘荒井昌和山中孝之藤原直樹藤澤 剛都築 健田所貴志狩野文良NTTOPE2009-25 LQE2009-28
低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的... [more] OPE2009-25 LQE2009-28
pp.51-54
OPE 2006-02-17
16:05
東京 機械振興会館 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD
鶴岡清貴小林隆二難波江宏一徳留圭一大澤洋一加藤友章NEC
狭幅選択MOVPE成長AlGaInAs-MQW活性層をルテニウム(Ru)ドープ高抵抗InPで埋め込んだ1.3 μm帯埋め... [more] OPE2005-153
pp.41-46
LQE, OCS, OPE
(共催)
2004-11-04
16:40
福岡 九州工業大学 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討
有本英生清水淳一郎白井正敬青木雅博日立
光送信器の低コスト化を目指したアンクールド40Gbit/s EA/DFBレーザを実現するための基礎検討として、0℃-85... [more] OCS2004-90 OPE2004-155 LQE2004-99
pp.43-46
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