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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-01-27
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証
臼田宏治鎌田善巳上牟田雄一森 貴洋小池正浩手塚 勉産総研SDM2014-138
多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用... [more] SDM2014-138
pp.13-16
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
小山正人小池正浩上牟田雄一鈴木正道辰村光介土屋義規市原玲華後藤正和長友浩二東 篤志川中 繁中嶋一明関根克行東芝SDM2007-159 ICD2007-87
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] SDM2007-159 ICD2007-87
pp.101-106
NS, IN
(併催)
2007-03-09
15:20
沖縄 沖縄コンベンションセンター 中継ノードに再送機能を持たせた無線マルチホップ通信のためのTCP高速化手法の提案と評価
小池昌弘粂川一也加藤聰彦伊藤秀一電通大NS2006-221
近年,無線によるマルチホップを行うネットワークが注目され,さまざまな応用が検討されている.しか
し無線リンクでは伝送誤... [more]
NS2006-221
pp.329-334
CQ 2006-07-14
11:25
北海道 はこだて未来大 バースト的な伝送誤りを伴う無線マルチホップ通信におけるTCP高速化に関する一検討
小池昌弘粂川一也加藤聰彦伊藤秀一電通大CQ2006-32
 [more] CQ2006-32
pp.83-88
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
10:00
北海道 函館国際ホテル [特別招待講演]HfSiON ~ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ~
西山 彰小山正人上牟田雄一小池正浩飯島良介山口 豪鈴木正道井野恒洋小野瑞城東芝
MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わ... [more] SDM2005-146 ICD2005-85
pp.19-24
MI 2005-01-21
11:40
沖縄 琉球大学 呼吸ゲートSPECT画像における非線形の動き補正
植 英規羽石秀昭千葉大)・岩永秀幸大石誉奈井出亮子小池正紘菅 一能山口大
呼吸ゲートSPECTは,撮影中の呼吸に伴う肺の動きに起因する再構成画像のボケを防ぐために有効であるが,撮影時間を短くした... [more] MI2004-56
pp.31-36
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