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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ 2012-07-19
14:30
東京 機械振興会館 電源グランドプレーン共振を抑えるための最適な部品選定手法の考察
佐野宏靖都立産技研センター)・丸山良明NEC情報システムズ)・時川昌大サンリツオートメイションEMCJ2012-35
電源プレーンとグランドプレーンの共振がIC駆動時の電位の揺れを外部に放射させ,CISPRやFCCの放射ノイズの規格をオー... [more] EMCJ2012-35
pp.19-21
VLD 2012-03-06
14:00
大分 ビーコンプラザ 不完全ネストループに対するループパイプライン
竹中 崇若林一敏NEC)・中越優佳NEC情報システムズVLD2011-126
不完全ネストループに対してループパイプラインを適用できる動作合成手法を提
案する。不完全ネストループとは、ループの... [more]
VLD2011-126
pp.37-42
PRMU, IBISML
(共催)
IPSJ-CVIM
(連催) [詳細]
2011-09-06
11:00
北海道 はこだて未来大学 Multiple Instance LVQによる物体検出
細井利憲宮野博義石寺永記NEC情報システムズPRMU2011-74 IBISML2011-33
粗い教示データを用いた物体検出向けの学習方式Multiple Instance LVQを提案する.Multiple In... [more] PRMU2011-74 IBISML2011-33
pp.145-150
IBISML, PRMU
(共催)
IPSJ-CVIM
(連催) [詳細]
2010-09-06
11:10
福岡 福岡大学 裾野の重たい分布関数を利用した学習ベクトル量子化手法
宮野博義石寺永記NEC情報システムズPRMU2010-81 IBISML2010-53
事後確率最大化に基づく新しい学習ベクトル量子化(LVQ)の手法を提案する。LVQはデータを学習することによって求められる... [more] PRMU2010-81 IBISML2010-53
pp.185-192
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
15:25
東京 機械振興会館 SOI‐MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化
村上貴洋安藤 慎貞近倫夫広島大)・吉田隆樹NEC情報システムズ)・三浦道子広島大VLD2007-68 SDM2007-212
 [more] VLD2007-68 SDM2007-212
pp.41-45
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