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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）  SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
| SDM | 2007-06-08 09:00 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 ○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2007-39 |
マイクロ波励起Xe/NH3プラズマ中において、Siをプラズマ窒化することによりSi(100)、(111)、(110)上に... [more] | SDM2007-39 pp.43-48 |
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