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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析 ○鎌倉良成・インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎・脇村 豪（阪大）・木場隼介・土屋英昭（神戸大）・森 伸也（阪大）  SDM2014-139 |
[more] | SDM2014-139 pp.17-20 |
| SDM | 2013-11-15 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 ○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2013-111 |
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] | SDM2013-111 pp.65-70 |
| SDM | 2011-11-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2011-121 |
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] | SDM2011-121 pp.33-38 |
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