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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2008-01-30
14:20
北海道 北海道大学 Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope
Maciej LigowskiShizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.)・Ratno NuryadiAkihiro IchirakuMiftahul AnwarShizuoka Univ.)・Ryszard JablonskiWarsaw Univ. of Tech.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.ED2007-239 SDM2007-250
Dopant ionization was investigated by Kelvin Probe Force Mic... [more] ED2007-239 SDM2007-250
pp.11-16
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]Si single-electron FETs for single-photon detection
Michiharu TabeRatno NuryadiZainal BurhanudinShizuoka Univ.
我々は、Siデバイスのブレークスルーにとって、3つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一... [more]
SDM, ED
(共催)
2007-02-02
13:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 不規則系多重トンネル接合による単電子転送の時間制御
モラル ダニエル静岡大)・小野行徳NTT)・猪川 洋横井清人ラトノ ヌルヤディ池田浩也田部道晴静岡大
 [more] ED2006-255 SDM2006-243
pp.83-88
SDM, ED
(共催)
2007-02-02
13:40
北海道 北海道大学 百年記念会館 Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors -- Sensing the presence of a single-charge in the substrate --
Zainal BurhanudinRatno NuryadiMichiharu TabeShizuoka Univ.
 [more] ED2006-256 SDM2006-244
pp.89-94
ED, CPM, SDM
(共催)
2006-05-19
14:35
愛知 豊橋技術科学大学VBL Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET
ザイナル ブルハヌディンラトノ ヌルヤディ田部道晴静岡大
 [more] ED2006-39 CPM2006-26 SDM2006-39
pp.107-111
ED, CPM, SDM
(共催)
2006-05-19
15:00
愛知 豊橋技術科学大学VBL Tunneling current oscillations in Si/SiO2/Si structures
Daniel MoraruDaisuke NagataShizuoka Univ.)・Seiji HoriguchiAkita Univ.)・Ratno NuryadiHiroya IkedaMichiharu TabeShizuoka Univ.
 [more] ED2006-40 CPM2006-27 SDM2006-40
pp.113-117
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
16:35
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル
ラトノ ヌルヤディ石川靖彦田部道晴静岡大
 [more] ED2005-230 SDM2005-242
pp.35-38
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