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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2011-10-21
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
江利口浩二中久保義則松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-110
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの... [more] SDM2011-110
pp.73-78
VLD, ICD
(共催)
2008-03-06
16:35
沖縄 沖縄県男女共同参画センター システムLSIにおける多電源、ダイナミック電源方式での消費電力の比較検討
花見 智渡辺重佳湘南工科大VLD2007-155 ICD2007-178
低消費電力化の代表的方法である多電源方式とダイナミック電源方式を適用した場合の消費エネルギーを積和演算をモチーフとして比... [more] VLD2007-155 ICD2007-178
pp.67-72
ICD, SIP, IE, IPSJ-SLDM
(共催)
2006-10-27
10:50
宮城 宮城県・作並温泉・一の坊 微細MOSFETのリーク電流を考慮した2電源型システムLSIの低消費電力設計法
渡辺重佳金井雅樹永澤 晃花見 智小林 学高畠俊徳湘南工科大
充放電電流だけでなく微細MOSFETのサブスレッショルドリーク電流とゲートリーク電流を考慮した2電源(VH,VL)システ... [more] SIP2006-106 ICD2006-132 IE2006-84
pp.31-36
ICD, VLD
(共催)
2006-03-10
09:15
沖縄 メルパルク沖縄 微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法
渡辺重佳湘南工科大
MOSFETのリーク電流が流れる場合のシステムLSIの低消費電力化に対する並列処理の効果を組み込み用プロセッサをモチーフ... [more] VLD2005-122 ICD2005-239
pp.1-6
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