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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2020-01-17 13:15 |
神奈川 | 横浜市開港記念会館 | ［ポスター講演］Design of single flux quantum highly-integrated memory cell and its application to lookup table ○Takuya Hosoya・Yuki Yamanashi・Nobuyuki Yoshikawa（Yokohama Natl. Univ.）  SCE2019-43 |
本研究ではSFQ回路を用いたルックアップテーブルの高集積化を目標としている。1-bitのメモリセルである非破壊読み出し型... [more] | SCE2019-43 pp.57-60 |
| SCE | 2017-08-09 13:20 |
愛知 | 名古屋大学(東山キャンパス) | 量子磁束パラメトロン回路で構成されたランダムアクセスメモリセルの評価 ○高山 広・竹内尚輝・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2017-14 |
断熱型量子磁束パラメトロン(AQFP)回路は超低消費電力な計算機システムを実現する有望な回路である。本研究では、AQFP... [more] | SCE2017-14 pp.19-23 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 11:15 |
富山 | 富山県民会館 | ［招待講演］強誘電体メモリ（FeRAM）の技術動向 ～ 2010とこれから ～ ○川嶋将一郎（富士通セミコンダクター） SDM2011-76 ICD2011-44 |
強誘電体は自発分極をもちこの方向を０と１の記憶に用いた不揮発性メモリが ＦｅＲＡＭである。強誘電体の例としてＰＺＴ（チ... [more] |
SDM2011-76 ICD2011-44 pp.29-34 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
| ICD | 2006-04-14 11:15 |
大分 | 大分大学 | DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM ○木原雄治・中嶋 泰・井筒 隆・中本正幸（ルネサステクノロジ）・吉原 務（早大） |
0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いてメモリセルサイズが0.98um2の16M 低消費電力SRAM を開発した。... [more] | ICD2006-15 pp.81-84 |
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