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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 11:45 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討 ○諸岡 哲・石川貴之・小村政則・加藤竜也・小山幸紀・韓 業飛・菅原陽平・桑原大輔・新屋敷悠介・村山昭之・西山勝哉・杉前紀久子・小倉達郎・竹田 裕・刈谷奈由太・合木悠佑・小沼将大・神谷優太・山下博幸・滋賀秀裕・板垣清太郎・田中里英子・前田高志・大谷紀雄・藤原 実（キオクシア）  SDM2022-36 ICD2022-4 |
3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セ... [more] | SDM2022-36 ICD2022-4 p.12 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 15:00 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路の研究 ～ 従来のLUT方式、平面型との比較 ～ ○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2018-43 ICD2018-30 |
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい回路設計を提案した。また従来の方式（平面型LUT方式、積層型LUT方式）と提... [more] | SDM2018-43 ICD2018-30 pp.95-100 |
| ICD | 2018-04-20 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto（TMC）・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee（WDC）・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura（TMC） ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] | ICD2018-10 pp.39-44 |
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