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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EST 2023-01-26
11:40
沖縄 大濱信泉記念館(石垣)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
プラズモニックグレーティングカップラのFDTD解析
中坂日南竹谷和真柴山 純山内潤治中野久松法政大EST2022-79
光波帯におけるプラズモニックグレーティングカップラを,入射角及び誘電体の形状を考慮しFDTD法により解析する.はじめに,... [more] EST2022-79
pp.31-34
SDM 2022-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解
岡 博史稲葉 工飯塚将太浅井栄大加藤公彦森 貴洋産総研SDM2022-74
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] SDM2022-74
p.49
ED 2015-12-22
11:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 レーザー誘起テラヘルツ波放射を用いたGaNの評価
酒井裕司川山 巌阪大)・中西英俊SCREEN)・斗内政吉阪大ED2015-106
次世代デバイス材料として注目を集めているワイドギャップ半導体GaNに対してレーザー誘起テラヘルツ(THz)波放射を用いて... [more] ED2015-106
pp.89-92
ED 2014-08-01
16:15
東京 機械振興会館B3-1室 硬X線光電子分光によるGaAs表面の状態解析
斎藤吉広鶴見大輔飯原順次富永愛子米村卓巳山口浩司住友電工ED2014-61
電子デバイス用GaAs半導体の表面状態に関し、硬X線光電子分光(HAXPES)による分析を行った。特に、GaAs表面の酸... [more] ED2014-61
pp.47-50
SDM 2014-01-29
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研SDM2013-137
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] SDM2013-137
pp.9-12
MBE 2014-01-24
15:35
佐賀 佐賀大学 表面プラズモン共鳴バイオセンサを用いた体臭成分の検知
小野寺 武馬 苗苗羅 浩宇矢田部 塁九大)・中本高道東工大)・都甲 潔九大MBE2013-101
震災時に瓦礫に埋もれた生存者を迅速に探知する技術が大変重要である.災害救助犬は,その鋭敏な嗅覚を使用して動けなくなった人... [more] MBE2013-101
pp.39-44
PN, EMT, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2013-01-25
13:35
大阪 大阪大学吹田キャンパス テラヘルツ領域における「捕らわれた虹」型光保存のFDTDモデリングに関する検討
藤田和広小田島 渉並木武文富士通PN2012-62 OPE2012-171 LQE2012-163 EST2012-98 MWP2012-80
Tsakmakidisらによって近年提案された「捕らわれた虹」型光保存の概念は、スローライトを実現するための新たな手法と... [more] PN2012-62 OPE2012-171 LQE2012-163 EST2012-98 MWP2012-80
pp.223-226
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
11:15
福井 福井大学 AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用
田島正文小谷淳二田村隆博橋詰 保北大ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス(BTストレス)評... [more] ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71
pp.73-76
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