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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT (第二種研究会) |
2022-12-05 - 2022-12-06 |
京都 | 京都大学（宇治キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Field-Plate Length Dependence of 2.4-GHz Rectification Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT Based Diode ○Gen Taguchi・Naoya Kishimoto・Youichi Tsuchiya・Debaleen Biswasa・Ma Qiang（Nagoya Inst. of Tech.）・Yuji Ando・Hidemasa Takahashi（Nagoya Univ）・Kenji Itoh・Naoki Sakai（Kanazawa Inst. of Tech）・Akio Wakejima（Nagoya Inst. of Tech.） |
We demonstrate field-plate (FP) length dependence of 2.4-GHz... [more] | |
| OME, IEE-DEI, IEE-EFM (連催) |
2022-02-10 11:15 |
ONLINE | オンライン開催 | 液滴挙動が液滴型摩擦発電機の出力に与える影響 ○永沼良太・青木裕介（三重大）  OME2021-54 |
液滴型摩擦発電機（DEG）は，簡単な構造で瞬間的な高電力が得られる発電機として注目されている．導電性基板上の誘電体及び上... [more] | OME2021-54 pp.1-4 |
| ED | 2008-06-13 14:40 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 ○荻須啓太・福島慶広・塩島謙次（福井大）・荒木賀行・横浜秀雄（NTT-AT） ED2008-26 |
炭素ドープInP/InGaAs HBT のMOCVD成長においてエチル基原料ガスを用いてベース層への水素混入低減を試み、... [more] | ED2008-26 pp.23-28 |
| ED | 2008-06-14 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術 ○原 直紀・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・多木俊裕（富士通研） ED2008-32 |
ミリ波帯で動作可能な超高速MMIC作製のために，トランジスタ高速化とデバイス集積化を両立するInP系HEMTデバイス技術... [more] | ED2008-32 pp.55-60 |
| SCE | 2005-10-14 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 | Nb/AlOx/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化に向けた研究 ○角倉 崇・赤池宏之・藤巻 朗（名大） |
我々はNb/AlOx/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化を目標として、接合作製プロセスについての研究を行っている。高... [more] | SCE2005-18 pp.1-6 |
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