電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380

vol. 105, no. 1

集積回路

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ICD2005-1
低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術
○武田晃一・萩原靖彦（NEC）・相本代志治（NECエレクトロニクス）・野村昌弘・中澤陽悦（NEC）・石井利生・小畑弘之（NECエレクトロニクス）
pp. 1 - 6

ICD2005-2
書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM
○山岡雅直（日立）・前田徳章（ルネサステクノロジ）・篠崎義弘（日立超LSIシステムズ）・島崎靖久・新居浩二・島田　茂・柳沢一正（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立）
pp. 7 - 12

ICD2005-3
A 256Mb Synchronous Burst DDR SRAM using Single-crystal Silicon Thin Film Transisitor (SSTFT) SRAM cell
○Youngho Suh・Hyouyoun Nam・Youngdae Lee・Hungiun An・Sangbeom Kang・Byunggil Choi・Hoon Lim・Choongkeun Kwak・Hyunguen Byun（Samsung）
pp. 13 - 17

ICD2005-4
［招待講演］ナノスケール時代のDRAM ～ 非1T1Cアプローチ ～
○石井智之（日立）
pp. 19 - 22

ICD2005-5
SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
○大澤　隆・藤田勝之・初田幸輔（東芝）・東　知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・森門六月生・南　良博・篠　智彰・中島博臣・井納和美・浜本毅司・渡辺重佳（東芝）
pp. 23 - 28

ICD2005-6
［招待講演］デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 ～ SoCの構造改革に向けたチャレンジ ～
○山内寛行（松下電器）
pp. 29 - 34

ICD2005-7
A 196-mm2, 2-Gb DDR2 SDRAM using an 80-nm Triple Metal Technology
○Jeong Hoon kook・Kyehyun Kyung・Chiwook Kim・Jaeyoung Lee（Samsung）
pp. 35 - 36

ICD2005-8
［招待講演］ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
○関口知紀・秋山　悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・半澤　悟・竹村理一郎・河原尊之（日立）
pp. 37 - 42

ICD2005-9
Improved write methods for 64Mb Phase-change Random Access Memory (PRAM)
○Hyung-rok Oh・Beak-hyung Cho・Woo Yeong Cho・Sangbeom Kang・Byung-gil Choi・Hye-jin Kim・Ki-sung Kim・Du-eung Kim・Choong-keun Kwak・Hyun-geun Byun・Gi-tae Jeong・Hong-sik Jeong・Kinam Kim（Samsung）
pp. 43 - 45

ICD2005-10
70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
○阿部　巧・原　毅彦・福田浩一・金澤一久・柴田　昇・細野浩司・前嶋　洋・中川道雄・小島正嗣・藤生政樹・竹内義昭・雨宮和美・師岡　翠（東芝）・亀井輝彦・那須弘明（サンディスク）
pp. 47 - 52

ICD2005-11
多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
○倉田英明・笹子佳孝・大津賀一雄・有金　剛・河村哲史・小林　孝・久米　均（日立）・本間和樹・小堺健司・野田敏史・伊藤輝彦・清水雅裕・池田良広・土屋　修・古沢和則（ルネサステクノロジ）
pp. 53 - 58

ICD2005-12
[パネル討論] デジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術
○佐藤克之（エルピーダメモリ）・山内寛行（松下電器）・沼田健二（東芝）・赤沢　隆（ルネサステクノロジ）・片山泰尚（日本IBM）
p. 59

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。