Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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EID2010-23
電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性
○井口 拓・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大）・大西彰正・北浦 守（山形大）
pp. 5 - 8
EID2010-24
355 nmレーザアニールによる希土類添加SrGa2S4薄膜蛍光体の作製
○山崎貴久（静岡大）・清野俊明（日本製鋼所）・小南裕子・中西洋一郎（静岡大）・畑中義式（愛知工科大）・原 和彦（静岡大）
pp. 9 - 12
EID2010-25
電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンイオンの局所構造解析
○北浦 守（山形大）・解 栄軍・武田隆史・広崎尚人（物質・材料研究機構）・大西彰正・佐々木 実（山形大）
pp. 13 - 16
EID2010-26
溶液合成法により作製したY3Al5O12：Ce蛍光体における合成・焼成過程でのCeの状態に関する研究
○村川琢郎（鳥取大）・大倉 央（鳥取大/メルク）・本間徹生（高輝度光科学研究センター）・宮本快暢・大観光徳（鳥取大）
pp. 17 - 20
EID2010-27
Al2S3:MnとCuを蒸着源に用い多源蒸着法により作製したCuAlS2:Mn赤色蛍光体薄膜の発光特性の改善
○小柴貴裕・中村祐介・宮本快暢・大観光徳（鳥取大）
pp. 21 - 24
EID2010-28
Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト－及び熱ルミネッセンス評価
○石岡 亮・五十嵐航平・福田武司（埼玉大）・木島直人（三菱化学）・鎌田憲彦（埼玉大）
pp. 25 - 28
EID2010-29
赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製
○堀口昌吾・紺谷拓哉・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・浦岡行治（奈良先端大/JST）
pp. 33 - 36
EID2010-30
トップエミッション型液相合成ZnOナノ結晶紫外発光EL素子の電流電圧特性
○板谷和樹・河崎勇人・外山利彦・岡本博明（阪大）
pp. 37 - 40
EID2010-31
深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
○五十嵐航平・石岡 亮（埼玉大）・塚田悠介（埼玉大/理研）・福田武司・本多善太郎（埼玉大）・平山秀樹（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大）
pp. 41 - 44
EID2010-32
ACPDPの書き込み放電遅れ時間対初期電子数の理論的考察
○坂井徹男（ディスプレイ研）・橘 邦英（愛媛大）
pp. 65 - 68
EID2010-33
ネマチック液晶材料によるポリビニルシンナメート配向膜の容易軸制御
○山口留美子・池谷正輝（秋田大）
pp. 79 - 82
EID2010-34
アダプティブディミング方式によるLCDの画質劣化の評価と低減方法
○榊原和真・鈴木千晴・志賀智一（電通大）
pp. 83 - 86
EID2010-35
低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
○松田時宜・古田 守・平松孝浩・古田 寛・平尾 孝（高知工科大）
pp. 87 - 90
EID2010-36
光重合型液晶性高分子膜のゲート絶縁膜への応用とその電気的評価の研究
○清水敦之・神戸啓太・飯村靖文（東京農工大）
pp. 95 - 98
EID2010-37
有機EL素子のヘテロ界面形成とその素子特性への影響に関する研究
宮崎喬大・○稲富雅彰・飯村靖文（東京農工大）
pp. 99 - 102
EID2010-38
有機半導体における注入および空間電荷制限電流理論式の考察
○古庄啓太郎・服部励治・李 相根（九大）
pp. 103 - 106
EID2010-39
PMOLEDのマルチライン駆動
○古賀宗典・服部励治・麻川倫広（九大）
pp. 107 - 110
EID2010-40
単層構造マルチタッチ容量方式タッチパネルの開発
○慶 奎元・弓削勝忠・弓指洋平・服部励治（九大）
pp. 111 - 114
EID2010-41
紙のようなディスプレイをめざして ～ 電子ペーパー向け無線電力供給システム開発 ～
○弓指洋平・服部励治（九大）
pp. 125 - 127
EID2010-42
DFD技術を用いたリアルタイム実写3D映像の表示
○安藤康子・小澤史朗・磯 和之・向内隆文・松浦宣彦（NTT）
pp. 133 - 136
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．