Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2020-1
［招待講演］ハフニア系強誘電体薄膜を用いた1T1C型FeRAM ～ VLSI2020発表内容 ～
○奥野 潤・国広恭史・小西健太・菅谷文孝・周藤悠介・前村英樹・塚本雅則・梅林 拓（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
p. 1
SDM2020-2
［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
○トープラサートポン カシディット・林 早阳・李 宗恩・竹中 充・高木信一（東大）
pp. 3 - 7
SDM2020-3
高出力インピーダンス発電素子用電力変換回路の入力インピーダンス時分割変調制御方式の提案
○纐纈一真・丹沢 徹（静岡大）
pp. 9 - 13
SDM2020-4
極低電圧用チャージポンプ回路
○長岡慶一・範 公可（電通大）
pp. 15 - 18
SDM2020-5
裏面埋設配線を有する2.5D積層ICチップの電源インピーダンス低減効果
○三木拓司・永田 真・月岡暉裕（神戸大）・三浦典之（阪大）・沖殿貴朗（電子商取引安全技研組合）・荒賀佑樹・渡辺直也・島本晴夫・菊地克弥（産総研）
pp. 19 - 24
SDM2020-6
［招待講演］シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明
○岡 博史・松川 貴・加藤公彦・飯塚将太・水林 亘・遠藤和彦・安田哲二・森 貴洋（産総研）
pp. 25 - 30
SDM2020-7
［招待講演］ニューロモルフィック応用に向けたHf0.5Zr0.5O2/Si FeFETを用いたリザバーコンピューティング
○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・王 澤宇・宮武悠人・竹中 充・高木信一（東大）
pp. 31 - 36
SDM2020-8
急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性
○石黒翔太・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）
pp. 37 - 40
SDM2020-9
Gate-all-around p-type poly-Si junctionless nanowire transistor with steep subthreshold slope
○Min-Ju Ahn・Takuya Saraya・Masaharu Kobayashi・Toshiro Hiramoto（IIS, Tokyo Univ.）
pp. 41 - 46
SDM2020-10
［招待講演］インダストリ応用に向けた５Ｇ・エッジコンピューティングの取り組み
○高浦則克（日立）
pp. 47 - 48
SDM2020-11
［招待講演］2入力Doherty-Outphasing増幅器
○山岡敦志・ホーン トーマス・山口恵一（東芝）
pp. 49 - 50
SDM2020-12
［招待講演］準天頂衛星みちびきが放送する災害・危機通報の相互情報量解析による間欠受信方法
○高橋 賢（広島市大）
pp. 51 - 54
SDM2020-13
［招待講演］セルラーV2Xによるコネクテッドカーの検討
○阿部順一・油川雄司（NTTドコモ）
pp. 55 - 59
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．